[實用新型]硅基微顯示屏有效
| 申請號： | 201921269704.3 | 申請日： | 2019-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN210092088U | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發明（設計）人： | 杜曉松;楊小龍;周文斌;張峰;孫劍;高裕弟 | 申請（專利權）人： | 昆山夢顯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 蘇州攜智匯佳專利代理事務所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 尹麗 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅基微 顯示屏 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅基微顯示屏，包括依次設置的硅基板、陽極層、OLED層、陰極層、保護層及完全覆蓋所述保護層及所述硅基板的薄膜封裝層，其特征在于，所述OLED層的側壁設有保護膜。
2.根據權利要求1所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述硅基板上設有若干規則排列的過孔，所述陽極層包括與所述過孔一一對應的陽極單元。
3.根據權利要求1所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述硅基微顯示屏還設有貫穿保護層、陰極層及OLED層的空洞，所述保護膜覆蓋所述空洞的側壁上的OLED層。
4.根據權利要求1所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述保護膜為氟化碳高分子聚合物。
5.根據權利要求3所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述空洞的寬度為8微米。
6.根據權利要求1所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述薄膜封裝層為有機薄膜、無機薄膜或有機薄膜上堆疊無機薄膜。
7.根據權利要求2所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述陽極單元的寬度為5微米。
8.根據權利要求1所述的硅基微顯示屏，其特征在于，所述OLED層包括有機發光層、位于陽極層與有機發光層之間的空穴注入層和空穴傳輸層以及位于陰極層與有機發光層之間的電子注入層和電子傳輸層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山夢顯電子科技有限公司，未經昆山夢顯電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921269704.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種端子連接線加工用雙頭沖壓剝皮打端裝置
- 下一篇：一種電腦硬盤固定裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
