[實用新型]一種具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件有效
| 申請號: | 201921226070.3 | 申請日: | 2019-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN210607303U | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 王洪;譚禮軍;姚若河;武智斌 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學;中山市華南理工大學現代產業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕強 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 環狀 電極 尺寸 led 器件 | ||
1.一種具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,所述器件包括襯底和襯底上連接的凸臺型結構,所述凸臺型結構包括凸臺下部和凸臺上部,凸臺上部位于凸臺下部之上,凸臺上部的橫截面積小于凸臺下部的橫截面積;凸臺下部包括從下到上依次排列的緩沖層、未摻雜N型GaN層和第一N-GaN層;凸臺上部包括從下到上依次排列分布的第二N-GaN層、多量子阱層、P型AlGaN層和P-GaN層,第一N-GaN層和第二N-GaN層一體成型;凸臺下部的上表面連接凸臺上部以外的區域連接N電極;凸臺上部的上表面連接電流擴展層,電流擴展層上連接P電極,所述P電極為環狀類Y型電極,所述環狀類Y型電極包括一個圓環狀接觸環和兩個以上類Y型叉,類Y型叉包括一底臂以及和底臂一端分別連接的第一分叉和第二分叉,底臂的另一端和圓環狀接觸環連接;凸臺型結構上除P電極和N電極以外的區域沉積有一層鈍化層。
2.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂、第一分叉和第二分叉均為直型線條,第一分叉和第二分叉對稱分布在底臂的兩側,分叉角度為30°~120°。
3.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂、第一分叉均為直型線條,第二分叉包括一直型線條以及和直型線條連接的圓弧,第一分叉和第二分叉的直型線條對稱分布在底臂的兩側,分叉角度為30°~120°;第二分叉的圓弧向第二分叉的直型線條的一側沿著圓弧角度延伸,但圓弧和其他類Y型叉不接觸;第一分叉的直型線條的長度大于第二分叉的直型線條的長度。
4.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂為直型線條,第一分叉和第二分叉均包括一直型線條以及和直型線條連接的圓弧,第一分叉和第二分叉的直型線條對稱分布在底臂的兩側,分叉角度為30°~120°;第一分叉的圓弧向第一分叉的直型線條的一側沿著圓弧角度延伸,第二分叉的圓弧向第二分叉的直型線條的一側沿著圓弧角度延伸,但圓弧和其他類Y型叉不接觸;第一分叉的直型線條的長度大于第二分叉的直型線條的長度。
5.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,所述凸臺上部和凸臺下部為圓柱體結構,凸臺上部位于凸臺下部的中心處;電流擴展層的面積小于凸臺上部的底面面積;凸臺上部的底面直徑為20um~200um,凸臺下部的底面直徑比凸臺上部的底面直徑大30um~50um;P電極位于電流擴展層上表面的中心處;所述N電極為圓環,在圓環的外圓上連接一矩形凸起,凸起位于外圓的徑向方向上,凸起的寬度與長度為5um~10um;N電極位于第一N-GaN層上表面的邊緣與多量子阱層下表面的邊緣之間區域的中心;P電極下方的電流擴展層上表面為粗化結構。
6.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,電流擴展層為ITO,厚度為100~230nm;所述鈍化層為SiO2或雙層介質層,所述雙層介質層為從下到上排布的兩個折射率不同的介質層組成,且上層介質層的折射率低于下層介質層的折射率;雙層介質層為 HfO2/MgO、HfO2/SiO2或MgO/SiO2; HfO2/MgO中下層為HfO2,上層為MgO;HfO2/SiO2中下層為HfO2,上層為SiO2; MgO/SiO2中下層為MgO,上層為SiO2;P電極和N電極為Cr/Al/Ti/Au金屬層,金屬層的總厚度為1.15um ~1.35um;襯底為藍寶石材料。
7.根據權利要求1所述的具有環狀類Y型電極的微尺寸LED器件,其特征在于,環狀類Y型電極中的類Y型叉的個數為3、4或5,相應的類Y型叉之間兩兩成120°、90°或72°均勻地與圓環狀接觸環連接,且類Y型叉大小形狀完全一致。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華南理工大學;中山市華南理工大學現代產業技術研究院,未經華南理工大學;中山市華南理工大學現代產業技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921226070.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:支持多種通訊方式的智能主機
- 下一篇:一種多量子阱藍光探測器





