[實用新型]一種三維系統級集成硅基扇出型封裝結構

有效

• 申請號: 201921225002.5
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN210223949U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 王成遷;明雪飛;吉勇
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768;H01L21/54;H01L21/52;H01L23/48;H01L23/485
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，包括硅基（101），其特征在于，

所述硅基（101）的第一面沉積有截止層（102）；

所述硅基（101）的第二面刻蝕有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一層重布線（105），所述凹槽中埋有橋芯片（301）；

所述背面第一層重布線（105）依次通過背面第二層重布線（107）和微凸點（306）與高密度I/O異質芯片焊接；

所述硅基（101）的第一面依次形成有正面重布線（110）、阻焊層（111）和凸點（112），所述正面重布線（110）與所述背面第一層重布線（105）連接。

2.如權利要求1所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述硅基（101）和所述橋芯片（301）之間填充有干膜材料（106）。

3.如權利要求2所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述干膜材料（106）為包括樹脂類和聚酰亞胺類在內的聚合物材質。

4.如權利要求1所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述硅基（101）的第二面塑封有塑封材料（108），所述塑封材料（108）包裹所述第二層重布線（107）、所述微凸點（306）和所述高密度I/O異質芯片。

5.如權利要求4所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述塑封材料（108）是包括樹脂類和聚酰亞胺類在內的聚合物。

6.如權利要求1所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述截止層（102）的材質為無機材料的一種或多種，或金屬材料的一種或多種，其厚度不小于0.1μm，

所述無機材料包括SiO2、SiC和SiN；

所述金屬材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。

7.如權利要求1所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述凹槽大小根據埋入芯片尺寸決定，其深度至少為10μm；所述TSV通孔深度與所述凹槽一致，所述凹槽和所述TSV通孔數量均在一個以上。

8.如權利要求1所述的三維系統級集成硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述橋芯片（301）通過粘合膠（303）埋入凹槽，所述凹槽中埋入一顆或多顆橋芯片；所述橋芯片（301）的焊盤朝外，埋入橋芯片（301）后所述橋芯片（301）形成的高度與所述硅基（101）平面的高度誤差不超過5μm。