[實用新型]一種硅基扇出型封裝結構有效
| 申請號： | 201921224999.2 | 申請日： | 2019-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN210296343U | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 王成遷 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅基扇出型 封裝 結構 | ||
1.一種硅基扇出型封裝結構，包括硅基(101)，其特征在于，
所述硅基(101)上刻蝕的凹槽中埋有芯片(201)；
所述硅基(101)和所述芯片(201)上依次形成有干膜材料(302)和阻焊層(305)；
所述阻焊層(305)上形成有凸點(304)，并通過再布線層(303)與所述芯片(201)的焊盤連通。
2.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述硅基(101)底部沉積有截止層(102)。
3.如權利要求2所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述阻焊層(305)完全包裹除截止層(102)外的五個面，包裹厚度不小于0.5μm。
4.如權利要求2所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述截止層(102)的材質為無機材料的一種或幾種，或金屬材料的一種或幾種，其厚度不小于0.1μm，
所述無機材料包括SiO2、SiC和SiN；
所述金屬材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。
5.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述再布線層(303)為一層或多層。
6.如權利要求5所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述再布線層(303)位于所述阻焊層(305)中。
7.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述干膜材料(302)為包括樹脂類和聚酰亞胺類在內的聚合物材質。
8.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述芯片(201)通過粘合膠(301)埋入在所述凹槽中。
9.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，所述凹槽的深度不小于10μm。
10.如權利要求1所述的硅基扇出型封裝結構，其特征在于，每個凹槽中埋有一個或多個芯片(201)。
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