[實用新型]一種用于增加負耦合的陶瓷波導(dǎo)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921212910.0
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN209948008U
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田富耕;周亮;趙嘉煒
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州市協(xié)誠五金制品有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P11/00
• 代理公司: 32289 蘇州唯亞智冠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 宋秀麗

本實用新型涉及一種用于增加負耦合的陶瓷波導(dǎo)器，包括陶瓷介質(zhì)諧振器，陶瓷介質(zhì)諧振器上開設(shè)有第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔，用于調(diào)試其所在的陶瓷介質(zhì)諧振器諧振頻率，陶瓷介質(zhì)諧振器上還開設(shè)有第一負耦合孔和第二負耦合孔，第一負耦合孔和第二負耦合孔位于第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔之間，第一負耦合孔和第二負耦合孔的開口相反設(shè)置，第一負耦合孔和第二負耦合孔開設(shè)的深度構(gòu)成相交設(shè)置，第一負耦合孔和第二負耦合孔之間相間隔且相對設(shè)置，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔相交的部分用于實現(xiàn)所述陶瓷介質(zhì)諧振器的電容耦合。本實用新型解決了陶瓷波導(dǎo)濾波器難實現(xiàn)電容耦合的問題，提升對近端頻率抑制的能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于濾波器領(lǐng)域，尤其涉及一種用于增加負耦合的陶瓷波導(dǎo)器。

背景技術(shù)

隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的發(fā)展，通信設(shè)備的小型化是一種必然的趨勢，特別是在5G時代，通信設(shè)備的小型化顯的尤為重要，在5G通信中，濾波器也一直在朝著小型化發(fā)展，然而陶瓷波導(dǎo)濾波器很好的解決了設(shè)備小型化要求，隨著通信技術(shù)的發(fā)展，頻譜資源越來越緊缺，通信頻段間隔越來越近，相應(yīng)的干擾也會越來越嚴重，所以相應(yīng)的濾波設(shè)備要求對帶外的抑制能力要求就越來越高。

專利《介質(zhì)濾波器，收發(fā)信機及基站》，專利號201380046875.9，其陶瓷波導(dǎo)濾波器兩頻率之間實現(xiàn)負耦合的都是通過兩頻率之間的深耦合孔(或者槽) 的底部與陶瓷的本體之間的介質(zhì)厚度來實現(xiàn)負耦合。

如圖3所示，同時實現(xiàn)上述負耦合的方法實現(xiàn)出來的左右兩個零點頻率位置比較一致，且零點頻率很難進行由于在實際產(chǎn)品的使用中，通帶的兩邊帶外抑制要求可能不一致，有時需要一個零點更高，另外一個更低，所以零點頻率位置出現(xiàn)很一致時反而使得產(chǎn)品設(shè)計及生產(chǎn)更難。

實用新型內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的目的是提供一種用于增加負耦合的陶瓷波導(dǎo)器。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案：

一種用于增加負耦合的陶瓷波導(dǎo)器，包括陶瓷介質(zhì)諧振器，所述陶瓷介質(zhì)諧振器上開設(shè)有第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔，所述第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔均為盲孔，用于調(diào)試其所在的陶瓷介質(zhì)諧振器諧振頻率，且朝向同一側(cè)開口設(shè)置，所述陶瓷介質(zhì)諧振器上還開設(shè)有第一負耦合孔和第二負耦合孔，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔位于第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔之間，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔均為盲孔，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔的開口相反設(shè)置，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔開設(shè)的深度構(gòu)成相交設(shè)置，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔之間相間隔且相對設(shè)置，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔相交的部分用于實現(xiàn)所述陶瓷介質(zhì)諧振器的電容耦合，所述陶瓷介質(zhì)諧振器、第一調(diào)試孔、第二調(diào)試孔、第一負耦合孔和第二負耦合孔表面均覆蓋有導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔為相同的形狀結(jié)構(gòu)，為方形孔，或為圓柱形孔。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層為銀層。

優(yōu)選地，所述第一負耦合孔和第二負耦合孔底部相交設(shè)置。

一種實現(xiàn)陶瓷導(dǎo)波器負耦合的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔之間設(shè)置有開口相反的第一負耦合孔和第二負耦合孔；

步驟2：第一負耦合孔和第二負耦合孔相交的部分構(gòu)成電容耦合，其公式如下：

C＝K*A/T

其中，

K為介電常數(shù)；

A為第一負耦合孔和第二負耦合孔的相交面積；

T為第一負耦合孔和第二負耦合孔的相對間距。

優(yōu)選地，所述第一調(diào)試孔和第二調(diào)試孔上的導(dǎo)電層可去除設(shè)置，使其能調(diào)節(jié)頻率。