[實用新型]一種熱場、電場、偏壓復合外場仿真環境芯片

有效

• 申請號: 201921204657.4
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN210167322U
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 邰凱平;康斯清;童浩;蔡穎銳;張達運;林沖;蔡自彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所;武漢嘉儀通科技有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/26;G01N23/04;G01N23/20025
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 張志偉

1.一種熱場、電場、偏壓復合外場仿真環境芯片，其特征在于，包括：四線法接入電流電極，雙回字熱場型芯片，電場、偏壓外場電壓接入電極，電場、偏壓外場形成電極，氮化硅薄膜承載層，硅基片，電子束透過窗口，具體結構如下：

硅基片中部開設電子束透過窗口，氮化硅薄膜承載層設置于硅基片上表面中部，氮化硅薄膜承載層的兩側分別設置電場、偏壓外場形成電極于硅基片上表面，兩個電場、偏壓外場形成電極分別通過線路連接電場、偏壓外場電壓接入電極，電場、偏壓外場電壓接入電極相對設置于硅基片上表面的一側；氮化硅薄膜承載層的上表面設置雙回字熱場型芯片，雙回字熱場型芯片中的每個回字熱場型芯片分別通過線路連接四線法接入電流電極。

2.按照權利要求1所述的熱場、電場、偏壓復合外場仿真環境芯片，其特征在于，氮化硅薄膜承載層于硅基片上表面完全覆蓋在電子束透過窗口。

3.按照權利要求1所述的熱場、電場、偏壓復合外場仿真環境芯片，其特征在于，電場、偏壓外場形成電極為雙條形電極平行相對設置。