[實(shí)用新型]一種物理濺射的硬件配置及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921190611.1
• 申請(qǐng)日: 2019-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211897094U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 衛(wèi)克拉瑪那雅卡·蘇尼爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)萊私人有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 何葆芳

1.一種物理濺射的硬件配置，包括：

一個(gè)靶構(gòu)件，被配置為陰極，以用于產(chǎn)生濺射粒子；

一個(gè)基板，以用于沉積所述濺射粒子形成沉積膜；以及

一個(gè)電源，被配置為連接于上述靶構(gòu)件，以用于將上述靶構(gòu)件配置為陰極；

其特征在于：

所述靶構(gòu)件至少包括一個(gè)第一靶構(gòu)件和一個(gè)第二靶構(gòu)件，兩者相互獨(dú)立；

所述第一靶構(gòu)件在其長(zhǎng)度方向具有一個(gè)均勻的第一侵蝕率；以及

所述第二靶構(gòu)件在其長(zhǎng)度方向具有一個(gè)均勻的第二侵蝕率。

2.如權(quán)利要求1所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于，還包括：

一個(gè)磁體配置，其至少包括一個(gè)第一外磁體、一個(gè)第二外磁體和一個(gè)位于所述第一外磁體和所述第二外磁體之間的中心磁體；其中，

所述第一靶構(gòu)件位于所述第一外磁體和所述中心磁體之間；

所述第二靶構(gòu)件位于所述第二外磁體和所述中心磁體之間；

所述磁體配置產(chǎn)生的磁場(chǎng)均勻，并完全覆蓋所述靶構(gòu)件。

3.如權(quán)利要求1所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一靶構(gòu)件和所述第二靶構(gòu)件具有矩形形狀；其中，

所述第一靶構(gòu)件具有一個(gè)第一靶構(gòu)件長(zhǎng)度，一個(gè)第一靶構(gòu)件寬度和一個(gè)第一靶構(gòu)件高度；

所述第二靶構(gòu)件具有一個(gè)第二靶構(gòu)件長(zhǎng)度，一個(gè)第二靶構(gòu)件寬度和一個(gè)第二靶構(gòu)件高度；

所述第一靶構(gòu)件長(zhǎng)度和第二靶構(gòu)件長(zhǎng)度比所述基板的尺寸大20毫米至40毫米；

所述第一靶構(gòu)件寬度和第二靶構(gòu)件寬度在10毫米至100毫米的范圍內(nèi)；

所述第一靶構(gòu)件高度和第二靶構(gòu)件高度在5毫米至30毫米的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一靶構(gòu)件還進(jìn)一步包括至少兩個(gè)相互獨(dú)立的第一小片；

所述第二靶構(gòu)件還進(jìn)一步包括至少兩個(gè)相互獨(dú)立的第二小片。

5.如權(quán)利要求1所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一靶構(gòu)件包括第一靶材料；

所述第二靶構(gòu)件包括第二靶材料；

其中，所述第一靶材料與所述第二靶材料相同或不同。

6.如權(quán)利要求2所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一外磁體具有一個(gè)第一外磁體長(zhǎng)度；

所述中心磁體具有一個(gè)中心磁體長(zhǎng)度；

所述第二外磁體具有一個(gè)第二外磁體長(zhǎng)度；

其中，所述第一外磁體長(zhǎng)度、所述中心磁體長(zhǎng)度和所述第二外磁體長(zhǎng)度均比所述第一靶構(gòu)件長(zhǎng)度和第二靶構(gòu)件長(zhǎng)度大10毫米至50毫米。

7.如權(quán)利要求2所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一外磁體、所述中心磁體和所述第二外磁體平行放置，并且與所述第一靶構(gòu)件和所述第二靶構(gòu)件也平行放置。

8.如權(quán)利要求2所述的物理濺射的硬件配置，其特征在于：

所述第一外磁體、所述中心磁體和所述第二外磁體成一定角度放置，所述角度在0度至45度的范圍內(nèi)。

9.一種物理濺射的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一種如權(quán)利要求2、6、7或8任一項(xiàng)所述的物理濺射的硬件配置，其中包括靶構(gòu)件和磁體配置；

一個(gè)射頻線圈，位于所述靶構(gòu)件和所述磁體配置下方，且距離所述靶構(gòu)件和所述磁體配置的距離在1厘米至5厘米的范圍內(nèi)；

一個(gè)射頻發(fā)生器和一個(gè)射頻匹配器，以用于和所述射頻線圈配合產(chǎn)生等離子體；

一個(gè)基板支架，以用于放置所述基板；

一個(gè)電機(jī)控制軌道系統(tǒng)，以用于水平移動(dòng)所述基板支架；

一個(gè)惰性氣體源，以用于提供惰性氣體；以及

一個(gè)腔室，以用于容納所述物理濺射的硬件配置、所述射頻線圈、所述基板支架和所述電機(jī)控制軌道系統(tǒng)。

10.如權(quán)利要求9所述的物理濺射的系統(tǒng)，其特征在于，還包括：

一個(gè)靜電卡盤(pán)，位于所述基板支架之內(nèi)；

其中，向所述基板支架施加一個(gè)低頻射頻功率，能在所述基板上產(chǎn)生負(fù)自偏壓。