[實用新型]一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921154469.5
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN210683997U
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李留臣;周正星
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇星特亮科技有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 劉鑫

1.一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，包括具有第一腔體的第一主體、具有與所述第一腔體連通的第二腔體的第二主體、用于為所述第二腔體加熱的加熱機構(gòu)、用于為所述第一腔體和/或所述第二腔體抽真空的抽真空機構(gòu)；其特征在于：所述裝置還包括設(shè)于所述第一腔體中的用于承載多個坩堝的載體、設(shè)于所述第一腔體中的用于驅(qū)動所述載體運動的第一驅(qū)動機構(gòu)、用于驅(qū)動所述坩堝使其逐一進(jìn)出所述第二腔體的第二驅(qū)動機構(gòu)；

所述第一驅(qū)動機構(gòu)，用于驅(qū)動所述載體做間歇性運動，將多個所述坩堝依次輸送至與所述第一腔體和所述第二腔體的連通處相對齊的第一位置處；

所述第二驅(qū)動機構(gòu)，用于在所述載體停止運動時驅(qū)動所述第一位置處的所述坩堝使其進(jìn)出所述第二腔體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述第二驅(qū)動機構(gòu)，用于在所述坩堝長晶完成后，將其送回所述載體上；所述第一驅(qū)動機構(gòu)，用于在所述坩堝回落至所述載體上后驅(qū)動所述載體繼續(xù)做間歇性運動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述第一位置和所述連通處的排列方向平行于所述第二驅(qū)動機構(gòu)中輸出軸的伸縮方向。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述載體為設(shè)于所述第一腔體中的轉(zhuǎn)盤或傳送鏈或平移板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述第一驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述坩堝在水平面內(nèi)轉(zhuǎn)動或傳動或平移，所述第二驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述坩堝沿豎直方向做升降運動。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述加熱機構(gòu)為可升降的設(shè)于所述第二腔體內(nèi)部或外部的感應(yīng)加熱線圈或可升降的設(shè)于所述第二腔體內(nèi)部的電阻加熱器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述第二腔體的體積小于所述第一腔體的體積，所述第二主體位于所述第一主體的上方，所述第二驅(qū)動機構(gòu)位于所述第一主體的下方。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述第二驅(qū)動機構(gòu)的輸出軸可沿豎直方向穿過所述第一主體并穿入所述第一腔體中，所述載體上開設(shè)有用于被所述輸出軸沿豎直方向穿入穿出的通孔，所述通孔與對應(yīng)位置處的所述坩堝同軸延伸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多坩堝半連續(xù)式碳化硅晶體生長裝置，其特征在于：所述裝置還包括設(shè)于所述第一腔體上的倉門、設(shè)于所述倉門上的觀察窗。