[實用新型]一種過溫保護電路及系統

有效

• 申請號: 201921153894.2
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN210091003U
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 陳峰
• 申請（專利權）人: 蘇州歐普照明有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃;南霆

1.一種過溫保護電路，其特征在于，包括：

電壓產生模塊，其配置為設置至少一級過溫保護觸發點電壓，其具有至少一個第一輸出端，并通過所述第一輸出端輸出所述觸發點電壓；

運算模塊，其配置為根據接收的所述至少一級觸發點電壓和反饋電壓得到參考電壓，其具有第一輸入端、第二輸入端和第二輸出端，所述第一輸入端與所述電壓產生模塊的第一輸出端電連接，并通過所述第一輸入端輸入所述至少一級觸發點電壓，通過所述第二輸入端輸入所述反饋電壓，通過所述第二輸出端輸出所述參考電壓，其中，所述反饋電壓基于檢測到的過溫保護電路的溫度得到的；

邏輯信號產生模塊，其配置為根據接收的所述參考電壓產生邏輯信號以控制其他器件工作，其具有第三輸入端和第三輸出端，所述第三輸入端與所述第二輸出端電連接，并通過所述第三輸入端輸入所述參考電壓，通過所述第三輸出端輸出所述邏輯信號。

2.根據權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于，所述電壓產生模塊包括至少一組電壓產生單元，每組所述電壓產生單元包括：第一電流源和電阻，所述電阻的一端與所述第一電流源電連接第一連接點，所述第一連接點為所述第一輸出端，所述電阻的另一端接地；

其中，每組所述電壓產生單元配置為設置一級過溫保護觸發點電壓。

3.根據權利要求2所述的過溫保護電路，其特征在于，

若所述電壓產生單元的數量為至少兩組，則所述至少兩組電壓產生單元中選擇的電阻的阻值不同。

4.根據權利要求3所述的過溫保護電路，其特征在于，所述電阻為可調電阻，所述至少兩組電壓產生單元中選擇的可調電阻的阻值調節范圍不同。

5.根據權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于，所述過溫保護電路包括：

電壓反饋模塊，其配置為檢測所述過溫保護電路的溫度，并根據所述溫度得到所述反饋電壓，其具有輸出所述反饋電壓的第四輸出端，所述第四輸出端與所述第二輸入端電連接。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的過溫保護電路，其特征在于，所述運算模塊包括：

至少一個運算放大器，配置為根據所述觸發點電壓和所述反饋電壓得到運算電壓，其具有所述第一輸入端、所述第二輸入端和第五輸出端，并通過所述第五輸出端輸出所述運算電壓；

加法器，配置為根據接收的至少一個所述運算電壓得到所述參考電壓，其具有至少一個第四輸入端和所述第二輸出端，所述第四輸入端與所述第五輸出端電連接，并通過所述第四輸入端輸入所述運算電壓。

7.根據權利要求6所述的過溫保護電路，其特征在于，所述過溫保護電路包括：

至少一個電流速率調節模塊，其配置為調節所述運算電壓的系數，其具有控制端，所述控制端與所述運算放大器的被控制端電連接，并通過所述控制端控制所述運算放大器產生的運算電壓的系數。

8.根據權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于，所述邏輯信號產生模塊包括：第二電流源、第一電容、MOS晶體管和比較器；

所述第二電流源的流出端、所述第一電容的一端、所述MOS晶體管的漏極和所述比較器的正輸入端電連接第二連接點，所述第一電容的另一端接地，所述MOS晶體管的柵極懸置以接外部驅動信號，所述MOS晶體管的源極接地，所述比較器的負輸入端為所述第三輸入端，所述比較器的輸出端為所述第三輸出端。

9.根據權利要求6所述的過溫保護電路，其特征在于，所述至少一個運算放大器和所述加法器集成于第一芯片。

10.根據權利要求8所述的過溫保護電路，其特征在于，所述第二電流源、所述第一電容、所述MOS晶體管和所述比較器集成于第二芯片。

11.一種過溫保護系統，其特征在于，包括上述權利要求1～10中任一項所述的過溫保護電路。