[實用新型]IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護電路

有效

• 申請號: 201921151585.1
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN210273486U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 付紅玲;李成忠;欒彪;謝輝;馮晶;郜峰利;于思瑤;張爽;王偉
• 申請（專利權）人: 江蘇云意電氣股份有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20
• 代理公司: 徐州創榮知識產權代理事務所(普通合伙) 32353
• 代理人: 晏榮府

本實用新型公開了一種IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護電路，涉及IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護技術領域。本實用新型包括電阻R4和電阻R5構成驅動電壓V_HSDRV的分壓電路，電阻R6、R7、R8和穩壓芯片U1構成驅動電壓V_HSDRV檢測的比較基準電阻，上述元器件和一比較器芯片U2構成驅動電壓V_HSDRV檢測電路；還包括電阻R3、R10、R11構成退飽和保護電路；既能為IGBT退飽和提供保護，又能解決由于驅動電壓過低提供保護，還適應當前種類繁多的IGBT參數要求。

技術領域

本實用新型涉及IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護技術領域，具體是一種IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護電路。

背景技術

目前新能源汽車產業在全球范圍內發展迅猛，電動汽車作為未來汽車發展的新趨勢，一方面可以減少傳統燃油汽車的排出物對環境的污染，另一方面能夠減輕石油、天然氣等不可再生能源的使用壓力。電機驅動系統是新能源電動車的核心系統，其中的功率模塊更是其中的關鍵部件，目前國內生產的功率模塊，因為技術、工藝等原因，還不能夠在新能源汽車中廣泛使用，國外知名的幾家知名功率器件生產商基本處于壟斷地位，導致這些功率器件一方面價格比較昂貴，另一方面交期比較長。因此在功率模塊的使用過程中，對設計者提出更高的要求。現下通常采用集成IC來驅動功率模塊，這些IC集成了通用的保護功能，但這些IC大都來自國外技術，價格和供貨周期也受限，并且功能集成在片內，使用技術也受限制。

發明內容

為了克服上述現有技術的缺點，本實用新型提供一種IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護電路，既能為IGBT退飽和提供保護，又能解決由于驅動電壓過低提供保護，還適應當前種類繁多的IGBT參數要求。

本實用新型是以如下技術方案實現的：一種IGBT退飽和保護和驅動電源欠壓保護電路，包括電阻R4和電阻R5構成驅動電壓V_HSDRV的分壓電路，電阻R6、R7、R8和穩壓芯片U1構成驅動電壓V_HSDRV檢測的比較基準電阻，上述元器件和一比較器芯片U2構成驅動電壓V_HSDRV檢測電路；還包括電阻R3、R10、R11構成退飽和保護電路；其中電阻R4、R6的一端連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV+端，電阻R4的另一端通過電阻R5連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端，IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端和VCC電源地相連接，電阻R6的另一端連接電阻R7的一端，電阻R7的另一端通過電阻R8連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端，電阻R4和電阻R5的公共端連接一二極管D11的負極和比較器芯片U2的1腳，電阻R6和電阻R7的公共端連接比較器芯片U2的2腳和穩壓芯片U1的1腳，電阻R7和電阻R8的公共端連接穩壓芯片U1的2腳，穩壓芯片U1的3腳接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端，二極管D11的正極連接一二極管D12的負極、二極管D13的正極、比較器芯片U3的2腳，二極管D12的正極連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端，二極管D13的負極連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV+端，二極管D13的正負極間并聯一電阻R9，比較器芯片U2的2腳依次通過電阻R10、R11連接IGBT功率模塊驅動電路的V_HSDRV-端，比較器芯片U3的2腳通過電阻R3連接IGBT功率模塊驅動電路的Vce_HSdesat端，比較器芯片U3的1腳連接電阻R10和電阻R11的公共端，比較器芯片U2的5腳作為Fault端連接電阻R12的一端以及比較器芯片U3的5腳，電阻R12的另一端連接電源VCC，比較器芯片U2的3腳與比較器芯片U3的3腳連接電源VCC，比較器芯片U2的4腳與比較器芯片U3的4腳接VCC電源地。

進一步,所述的穩壓芯片U1采用TL431電源芯片。

進一步,所述的比較器芯片U2和比較器芯片U3采用LM2903。