[實(shí)用新型]一種用于光子晶體光纖連接中光纖定軸的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921140903.4
• 申請(qǐng)日: 2019-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210488036U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白國(guó)財(cái);黃韜;喬建坤;鄭國(guó)康;丁東發(fā);夏君磊;魏靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航天時(shí)代光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/26
• 分類號(hào): G02B6/26;G02B6/25;G02B6/36
• 代理公司: 中國(guó)航天科技專利中心 11009
• 代理人: 馬全亮

一種用于光子晶體光纖連接中光纖定軸的裝置，包括：光纖固定座、蓋板、光纖定位裝置、定軸裝置和觀察系統(tǒng)；定軸裝置截面為Z字形，光纖固定座裝配在定軸裝置的上表面，光纖固定座上設(shè)置有卡具V型槽，將從光纖定位裝置中伸出的光子晶體光纖放置在卡具V型槽中，通過(guò)蓋板將光子晶體光纖壓緊在卡具V型槽中，通過(guò)觀察系統(tǒng)調(diào)整光子晶體光纖伸出卡具V型槽的長(zhǎng)度，令伸出卡具V型槽的光纖頭位于觀察系統(tǒng)的視場(chǎng)中心。本實(shí)用新型的裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)光子晶體光纖的兩次定軸，操作便捷，并且提高了光子晶體光纖連接的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于光電子器件領(lǐng)域，更具體說(shuō)是一種用于光子晶體光纖連接中光纖定軸的裝置。

背景技術(shù)

普通保偏光纖受環(huán)境影響較大，導(dǎo)致普通光纖陀螺的應(yīng)用范圍極大的受限于溫度、磁場(chǎng)、空間輻射等因素。光子晶體光纖是由單一材料制成的微結(jié)構(gòu)光纖，具有非常低的彎曲損耗，超寬單模傳輸、低色散、高雙折射特性，非常適合研制高性能光纖陀螺。在實(shí)際使用中，光子晶體光纖端面構(gòu)型存在孔洞，因此光纖和光路中其他光學(xué)元件的連接非常困難，光路可靠性很差，只能用于實(shí)驗(yàn)室狀態(tài)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是：在用光子晶體光纖連接的方法中，克服傳統(tǒng)光纖磨拋方法，容易堵塞光纖空氣孔的缺陷，提供一種新的光子晶體光纖定軸裝置，使用該裝置直接切割出α角度的光纖，不需要經(jīng)過(guò)磨拋，避免堵塞光子晶體光纖的空氣孔，提高光纖光路連接精度。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是：

一種用于光子晶體光纖連接中光纖定軸的裝置，包括：光纖固定座(1)、蓋板(2)、光纖定位裝置(3)、定軸裝置(4)和觀察系統(tǒng)(5)；

定軸裝置(4)截面為Z字形，光纖固定座(1)裝配在定軸裝置(4)的上表面，光纖固定座(1)上設(shè)置有卡具V型槽，將從光纖定位裝置(3)中伸出的光子晶體光纖放置在卡具V型槽中，通過(guò)蓋板(2)將光子晶體光纖壓緊在卡具V型槽中，通過(guò)觀察系統(tǒng)(5)調(diào)整光子晶體光纖伸出卡具V型槽的長(zhǎng)度，令伸出卡具V型槽的光纖頭位于觀察系統(tǒng)(5)的視場(chǎng)中心。

進(jìn)一步的，所述觀察系統(tǒng)(5)包括顯微鏡、CCD系統(tǒng)以及顯示器；伸出卡具V型槽的光纖頭端面位于顯微鏡的視場(chǎng)中心，CCD系統(tǒng)通過(guò)顯微鏡對(duì)所述光纖頭端面成像，并通過(guò)顯示器進(jìn)行顯示。

進(jìn)一步的，光子晶體光纖伸出光纖卡具的光纖頭用光纖熱撥器剝除涂覆層，用光纖切割刀垂直切割裸纖的光纖頭，使其端面平整，并進(jìn)行第一次光子晶體光纖的定軸。

進(jìn)一步的，第一次光子晶體光纖的定軸，具體為：使光子晶體光纖的保偏軸垂直于所述卡具V型槽的上表面，然后固定光纖。

進(jìn)一步的，卡具V型槽的寬度在158～162μm，深度在68～76μm。

進(jìn)一步的，進(jìn)行第一次光子晶體光纖的定軸后，伸出卡具V型槽的光纖頭放入光纖切割刀上，該光纖頭通過(guò)第一固定裝置和第二固定裝置進(jìn)行固定，光纖切割刀的刀頭位于第一固定裝置和第二固定裝置之間，用于對(duì)第一固定裝置和第二固定裝置之間的光子晶體光纖進(jìn)行切割。

進(jìn)一步的，光子晶體光纖固定好之后，旋轉(zhuǎn)第二固定裝置90°，令第一固定裝置和第二固定裝置之間的光子晶體光纖扭曲90°，刀頭切割后，光子晶體光纖形成15°斜面的端面角度。

進(jìn)一步的，還包括晶圓，該晶圓上有腐蝕出的晶圓V型槽，該晶圓劃切成多個(gè)陣列，所述陣列切割成多個(gè)分立單元，每個(gè)分立單元上有且僅有一個(gè)晶圓V型槽，切割方向平行于陣列上的晶圓V型槽。

進(jìn)一步的，腐蝕出的晶圓V型槽，深度為45μm～52μm，寬度為95μm～105μm，相鄰晶圓V型槽之間的距離為1.3mm～1.6mm；晶圓劃切陣列時(shí)，垂直于晶圓V型槽的方向進(jìn)行切割，每個(gè)切割得到的陣列中晶圓V型槽的長(zhǎng)度相同，均為1.9mm～2.2mm。