[實用新型]電子器件和電路

有效

• 申請號: 201921130215.X
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN210136874U
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 皮特·莫昂;阿布舍克·班納吉;P·范米爾貝克
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/778;H01L29/41
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;馬芬

1.一種電子器件，其特征在于，包括：

第一高電子遷移率晶體管的漏極電極，所述漏極電極覆蓋在溝道層上面；

源極電極，所述源極電極覆蓋在所述溝道層上面，其中所述源極電極的最下部分覆蓋在所述溝道層的至少一部分上面；

所述第一高電子遷移率晶體管的第一柵極電極，所述第一柵極電極覆蓋在所述溝道層上面；和

電流限制控制結構，所述電流限制控制結構控制通過所述漏極電極與所述源極電極之間的電流，

其中：

所述電流限制控制結構設置在所述源極電極與所述第一柵極電極之間，

所述電流限制控制結構耦接到所述源極電極和所述第一高電子遷移率晶體管，并且

所述電流限制控制結構具有閾值電壓。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電流限制控制結構包括第二高電子遷移率晶體管，其中所述第一高電子遷移率晶體管和所述第二高電子遷移率晶體管具有不同的閾值電壓。

3.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述第二高電子遷移率晶體管包括肖特基門控高電子遷移率晶體管。

4.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一高電子遷移率晶體管是增強型晶體管，并且所述第二高電子遷移率晶體管是耗盡型晶體管。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的電子器件，其中，所述第一高電子遷移率晶體管和所述第二高電子遷移率晶體管中的每個包括漏極和源極，其中：

所述漏極電極是所述第一高電子遷移率晶體管的漏極，

所述第一高電子遷移率晶體管的源極耦接到所述第二高電子遷移率晶體管的漏極，并且

所述源極電極是所述第二高電子遷移率晶體管的源極。

6.根據權利要求5所述的電子器件，其中，

所述第二高電子遷移率晶體管還包括第二柵極電極和設置在所述第二柵極電極與所述溝道層之間的介電層，

所述介電層具有相對介電常數和厚度，并且

所述相對介電常數與所述厚度之比為至少0.62nm^-1和至多3.9nm^-1。

7.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電流限制控制結構的所述閾值電壓在-1V至-4V的范圍內。

8.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電流限制控制結構被配置為將電流限制為至多0.4A/mm。

9.根據權利要求1所述的電子器件，其中，

所述電流限制控制結構是第二高電子遷移率晶體管，所述第二高電子遷移率晶體管包括漏極、源極和柵極，

所述第一高電子遷移率晶體管是增強型晶體管，

所述第二高電子遷移率晶體管是肖特基門控晶體管或耗盡型晶體管，

所述第一高電子遷移率晶體管的源極電連接到所述第二高電子遷移率晶體管的漏極，

所述第二高電子遷移率晶體管的源極和柵極電連接到源極端子，并且

所述電流限制控制結構的所述閾值電壓在-1V至-4V的范圍內，并且所述電流限制控制結構被配置為將電流限制為至多0.4A/mm。

10.一種電路，其特征在于，包括：

漏極端子；

源極端子；

柵極端子；

第一高電子遷移率晶體管，所述第一高電子遷移率晶體管包括漏極、源極和柵極，其中：

所述第一高電子遷移率晶體管的漏極耦接到所述漏極端子，并且

所述第一高電子遷移率晶體管的柵極耦接到所述柵極端子；和

第二高電子遷移率晶體管，所述第二高電子遷移率晶體管包括漏極、源極和柵極，其中：

所述第二高電子遷移率晶體管的漏極耦接到所述第一高電子遷移率晶體管的源極，

所述第二高電子遷移率晶體管的源極和柵極耦接到所述源極端子，并且

所述第二高電子遷移率晶體管是肖特基門控高電子遷移率晶體管。