[實(shí)用新型]一種含紫光或近紫外芯片的光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921109828.5
• 申請(qǐng)日: 2019-07-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210535663U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫智江;王書(shū)昶;吳陸;吉愛(ài)華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/075
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種含紫光或近紫外芯片的光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括

至少一顆第一芯片，所述第一芯片為第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片，在第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片表面設(shè)置有長(zhǎng)波長(zhǎng)熒光粉膠層形成長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體，至少一顆第二芯片，所述第二芯片為第二波長(zhǎng)藍(lán)光芯片；

至少一顆第三芯片，所述第三芯片為紫光或近紫外芯片，在紫光或近紫外芯片表面設(shè)置有短波長(zhǎng)熒光粉膠層形成短波長(zhǎng)封裝體，

封裝層，用于將各短波長(zhǎng)封裝體、第二芯片和長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體整體封裝在其內(nèi)，所述封裝層采用中波長(zhǎng)熒光粉膠層；

所述短波長(zhǎng)封裝體、第二芯片和長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體的數(shù)量和波長(zhǎng)滿足：

(1)當(dāng)光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)整體要求的色溫高于4500K時(shí)，所述長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體的數(shù)量占短波長(zhǎng)封裝體、第二芯片和長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體數(shù)量總和的5～30％；

當(dāng)光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)整體要求的色溫低于或等于4500K時(shí)，所述長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體的數(shù)量占短波長(zhǎng)封裝體、第二芯片和長(zhǎng)波長(zhǎng)封裝體數(shù)量總和的30～80％；

(2)所述短波長(zhǎng)封裝體與第二芯片的數(shù)量比為1:1～5；

(3)所述第一芯片的波長(zhǎng)記作λA，λA＝445～550nm；第二芯片的波長(zhǎng)記作λB，λB＝420～465nm；第三芯片的波長(zhǎng)記作λC，λC＝370-420nm；且0≤λA－λB≤130nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含紫光或近紫外芯片的光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述短波長(zhǎng)熒光粉膠層設(shè)置在紫光或近紫外芯片的頂面與側(cè)面上形成CSP封裝結(jié)構(gòu)，或設(shè)置在紫光或近紫外芯片的頂面形成WLP封裝結(jié)構(gòu)；所述短波長(zhǎng)熒光粉膠層設(shè)置在紫光或近紫外芯片的頂面的厚度在20～400um，在紫光或近紫外芯片的側(cè)面的厚度在0～400um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含紫光或近紫外芯片的光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述短波長(zhǎng)封裝體與第二芯片的數(shù)量比為1:1～3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含紫光或近紫外芯片的光譜調(diào)光封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述長(zhǎng)波長(zhǎng)熒光粉膠層設(shè)置在第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片的頂面與側(cè)面上形成CSP封裝結(jié)構(gòu)，或設(shè)置在第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片的頂面形成WLP封裝結(jié)構(gòu)；所述長(zhǎng)波長(zhǎng)熒光粉膠層設(shè)置在第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片的頂面的厚度在20～400um，在第一波長(zhǎng)藍(lán)光芯片的側(cè)面的厚度在0～400um。