[實用新型]一種叉指型背接觸太陽電池結構

有效

• 申請號: 201921108975.0
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN210403753U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 高嘉慶;宋志成;郭永剛;屈小勇;吳翔;馬繼奎;張博
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 穆旭

1.一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，包括N型單晶硅片為基體，所述單晶硅片前表面設置有硼摻雜層，所述單晶硅片前表面硼摻雜層上設置有AL2O3鈍化層，在所述單晶硅片前表面AL2O3鈍化層上設置有SiNx減反射層；所述單晶硅片背表面場為磷摻雜層，所述單晶硅片背面發射極為硼摻雜層，所述單晶硅片背表面設置有SiO2鈍化層，所述單晶硅片背面發射極表面設置有AL2O3鈍化層，所述單晶硅片背面場表面設置有SiNx鈍化層，所述單晶硅片背面發射極連接有負電級，所述單晶硅片背面場連接有正電極。

2.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述N型單晶硅片基體的電阻率為1-10Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片前表面硼摻雜層的方阻為80-160Ω·cm，結深為0.1-0.5μm。

4.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片前表面AL2O3鈍化層膜厚為1-10nm。

5.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片前表面SiNx減反射層膜厚為40-80nm，折射率為1.8-2.5。

6.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片背表面場磷摻雜層的方阻為80-160Ω·cm，結深為0.1-0.5μm。

7.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片背表面SiO2鈍化層厚度為1-5nm。

8.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片背面發射極表面AL2O3鈍化層膜厚為1-10nm。

9.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述單晶硅片背面場表面SiNx鈍化層膜厚為40-80nm。

10.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述負電級寬度為300-1600μm。

11.根據權利要求1所述的一種叉指型背接觸太陽電池結構，其特征在于，所述正電極寬度為100-700μm。