[實用新型]一種帶溫度補償的電流偏置電路

有效

• 申請號: 201921087210.3
• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN210402134U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 譚在超;張勝;羅寅;丁國華
• 申請（專利權）人: 蘇州鍇威特半導體股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 葉倩

1.一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于：包括第一至第三MOS管、第一至第二三極管、第一電阻和溫度補償電路，溫度補償電路包括第四至第五MOS管、第三至第六三極管、第二至第五電阻，第一至第三MOS管的源極均連接電源VCC，第一至第三MOS管的柵極共聯，第一MOS管的柵極連接其漏極，第一MOS管的漏極連接第一三極管的集電極，第一至第二三極管的基極共聯，第一三極管的發射極串聯電阻R1后接地，第二MOS管的漏極連接第二三極管的集電極，第二三極管的集電極連接第二三極管的基極，第二三極管的發射極連接第三三極管的發射極，第三三極管的集電極接地，第三MOS管的漏極連接第四MOS管的漏極，第四至第五MOS管的柵極共聯，第四MOS管的漏極連接第四MOS管的柵極，第四至第五MOS管的源極接地，第五MOS管的漏極連接第三三極管的基極，第五和第六三極管的集電極連接電源VCC，第二電阻和第三電阻串聯后第二電阻的一端接電源VCC，第三電阻的一端連接第四三極管的集電極，第四電阻和第五電阻串聯后第四電阻的一端接第五三極管的發射極，第五電阻的一端接第四三極管的集電極，第四三極管的基極連接其集電極，第四三極管的發射極接地，第五三極管的基極連接在第二電阻和第三電阻之間，第六三極管的基極連接在第四電阻和第五電阻之間，第六三極管的發射極連接第五MOS管的漏極。

2.如權利要求1所述的一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于，所述第一三極管和第二三極管的個數比為1：n。

3.如權利要求1所述的一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于，所述第一至第三MOS管均采用PMOS管，所述第四至第五MOS管均采用NMOS管，所述第一、第二、第四至第六三極管均采用NPN型三極管，所述第三三極管采用PNP型三極管。

4.如權利要求1-3任一項所述的一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于，所述第二電阻的阻值為第三電阻阻值的5-10倍，所述第四電阻和第五電阻的阻值保持一致。

5.如權利要求4所述的一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于，所述第二至第五電阻為同一種類型的電阻，且第二至第五電阻的寬長數值相同。

6.如權利要求5所述的一種帶溫度補償的電流偏置電路，其特征在于，所述第一和第二MOS管的總寬長比相等。