[實用新型]一種光芯片與電芯片三維集成封裝結構有效
| 申請號： | 201921058365.4 | 申請日： | 2019-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN209880613U | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發明（設計）人： | 王全龍;劉豐滿;吳鳳佳;曹立強 | 申請（專利權）人： | 上海先方半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/16 | 分類號： | H01L25/16;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/535 |
| 代理公司： | 31313 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 布線層 介質層 塑封層 電連接 電芯片 導電柱 光芯片 焊球 外接 本實用新型 封裝結構 三維集成 芯片焊盤 包覆 漏出 貫穿 | ||
1.一種光芯片與電芯片三維集成封裝結構，包括：
第一介質層；
第一重新布局布線層，所述第一重新布局布線層設置在所述第一介質層內；
外接焊球，所述外接焊球電連接至所述第一重新布局布線層；
塑封層，所述塑封層設置在所述第一介質層的上面；
電芯片，所述電芯片被所述塑封層包覆，并漏出芯片焊盤；
巨型導電柱，所述巨型導電柱貫穿所述塑封層，并電連接至所述第一重新布局布線層；
第二重新布局布線層，所述第二重新布局布線層電連接至所述巨型導電柱和所述電芯片；
第二介質層，所述第二介質層設置在所述塑封層的上面；以及
光芯片，所述光芯片電連接至所述第二重新布局布線層。
2.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述第一重新布局布線層為M層，其中M≥2。
3.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述塑封層的材料為環氧樹脂塑封料EMC。
4.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述電芯片外接引腳/焊盤面向上，并漏出所述塑封層。
5.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述電芯片為驅動芯片、放大器、匹配控制芯片。
6.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述巨型導電柱為巨型銅柱。
7.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述巨型導電柱的導電材料為導電銀漿。
8.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述第二重新布局布線層為N層，其中N≥2。
9.如權利要求1所述的光芯片與電芯片三維集成封裝結構，其特征在于，所述光芯片與所述電芯片面對面貼裝。
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