[實(shí)用新型]一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921054216.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210778079U | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱豐;韓秀芬;彭金 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河源市新格瑞特電子有限公司;深圳市格瑞特電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/00 | 分類號(hào): | H01C7/00 |
| 代理公司: | 北京匯捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 張利 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 浪涌 脈沖 熔斷 電阻器 | ||
本實(shí)用新型提供了一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器,包括絕緣基體、引腳、膜層、封裝涂層,所述絕緣基體兩端均設(shè)有一根引腳,所述絕緣基體表面覆蓋有膜層,所述膜層切割成螺紋狀,所述絕緣基體和膜層表面密封覆蓋有封裝涂層,本實(shí)用新型的有益效果在于:本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理,使用厚度不小于12um的鎳、鉻金屬膜層,改善膜層硬度及熔點(diǎn),提高抗脈沖能力,抗脈沖能力過(guò)1.5KV以上,TCR值能做到±50PPM。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型涉及一種熔斷電阻器,尤其涉及一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器。
【背景技術(shù)】
市面上現(xiàn)有的熔斷電阻器按電阻體使用材料可分為線繞式熔斷電阻器和膜式熔斷電阻器,其中膜式熔斷電阻器是使用最多的熔斷電阻器;現(xiàn)有的膜式熔斷電阻器膜層主要成份為鎳、磷等,厚度只有0.3~2um,其抗脈沖能力只最大只有800V,無(wú)法滿足更高的抗脈沖使用需求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
本實(shí)用新型目的在于解決面上現(xiàn)有的膜式熔斷電阻器所存在的上述問(wèn)題,而提供一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器。
本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器,包括絕緣基體、引腳、膜層、封裝涂層,所述絕緣基體兩端均設(shè)有一根引腳,所述絕緣基體表面覆蓋有膜層,所述膜層切割成螺紋狀,所述絕緣基體和膜層表面密封覆蓋有封裝涂層。
進(jìn)一步地,所述膜層是鎳、鉻為主要成分的金屬膜層,所述膜層的厚度不小于12um。
本實(shí)用新型的有益效果在于:本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理,使用厚度不小于12um的鎳、鉻金屬膜層,改善膜層硬度及熔點(diǎn),提高抗脈沖能力,抗脈沖能力過(guò)1.5KV以上,TCR值能做到±50PPM。
【附圖說(shuō)明】
圖1為本實(shí)用新型一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖標(biāo)記:1、絕緣基體;2、引腳;3、膜層;4、封裝涂層。
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
如圖1所示,一種高抗浪涌、脈沖的膜式熔斷電阻器,包括絕緣基體1、引腳2、膜層3、封裝涂層4,所述絕緣基體1兩端均設(shè)有一根引腳2,所述絕緣基體1表面覆蓋有膜層3,所述膜層3切割成螺紋狀,所述絕緣基體1和膜層3表面密封覆蓋有封裝涂層4。
優(yōu)選地,所述膜層3是鎳、鉻為主要成分的金屬膜層,所述膜層3的厚度不小于12um。
根據(jù)上述說(shuō)明書的揭示和教導(dǎo),本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏托薷摹R虼耍緦?shí)用新型并不局限于上面揭示和描述的具體實(shí)施方式,對(duì)本實(shí)用新型的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外,盡管本說(shuō)明書中使用了一些特定的術(shù)語(yǔ),但這些術(shù)語(yǔ)只是為了方便說(shuō)明,并不對(duì)本實(shí)用新型構(gòu)成任何限制。
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