[實(shí)用新型]一種大型還原爐底盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921037108.2
• 申請(qǐng)日: 2019-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210367009U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙建;盛斌;朱敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇雙良新能源裝備有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 江陰市揚(yáng)子專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

本實(shí)用新型涉及一種大型還原爐底盤(pán)，包括電極孔、進(jìn)料噴嘴和尾氣孔，所述電極孔、進(jìn)料噴嘴和尾氣孔與底盤(pán)法蘭、底盤(pán)面板等共同組合成還原爐底盤(pán)，所述進(jìn)料噴嘴包括一個(gè)內(nèi)進(jìn)料噴嘴和四圈進(jìn)料噴嘴，所述內(nèi)進(jìn)料噴嘴位于底盤(pán)的中心，所述四圈進(jìn)料噴嘴呈環(huán)形分布于底盤(pán)上面，所述電極孔沿底盤(pán)中心向外依次設(shè)有7圈電極孔，內(nèi)4圈電極孔相互關(guān)系呈正六邊形分布，外3圈電極孔相互關(guān)系呈同心圓，所述尾氣孔位于底盤(pán)最外側(cè)。本實(shí)用新型對(duì)還原反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的各種熱量進(jìn)行整合，合理利用硅棒間的熱輻射，冷熱物料的熱傳導(dǎo)，有效控制霧化，提升多晶硅一次轉(zhuǎn)化率至11%~12%；提升多晶硅沉積速度至160~180kg/h，降低還原電耗至35kw/kg?Si，大幅降低多晶硅生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅領(lǐng)域，具體涉及一種大型還原爐底盤(pán)。

背景技術(shù)

改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅是國(guó)內(nèi)、國(guó)際上生產(chǎn)多晶硅的主流成熟工藝，其中還原爐是該工藝的核心設(shè)備，還原電耗占多晶硅生產(chǎn)電耗的65%左右，所以還原爐的性能往往決定了多晶硅生產(chǎn)工藝的先進(jìn)性。目前國(guó)內(nèi)主要采用36對(duì)棒、40對(duì)棒還原爐生產(chǎn)多晶硅，這些爐型的產(chǎn)量相對(duì)較低，且能耗也相對(duì)較高，而部分更為大型的還原爐在實(shí)際使用中，又因?yàn)闋t內(nèi)的熱場(chǎng)、氣場(chǎng)分布不均勻等，導(dǎo)致霧化嚴(yán)重，物耗能耗增加。

因此為解決上述問(wèn)題，開(kāi)發(fā)更大型，更節(jié)能、更合理的還原爐已經(jīng)迫在眉睫，對(duì)還原反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的各種熱量進(jìn)行整合，合理的進(jìn)行底盤(pán)布置，進(jìn)一步降低還原爐運(yùn)行成本參數(shù)，提升國(guó)內(nèi)多晶硅行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供了一種大型還原爐底盤(pán)，以解決現(xiàn)有還原爐產(chǎn)量低，電耗高，熱場(chǎng)不均勻，霧化嚴(yán)重等問(wèn)題。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種大型還原爐底盤(pán)，包括電極孔、進(jìn)料噴嘴和尾氣孔，所述電極孔、進(jìn)料噴嘴和尾氣孔與底盤(pán)法蘭、底盤(pán)面板等共同組合成還原爐底盤(pán)，所述進(jìn)料噴嘴包括一個(gè)內(nèi)進(jìn)料噴嘴和四圈進(jìn)料噴嘴，所述內(nèi)進(jìn)料噴嘴位于底盤(pán)的中心，所述四圈進(jìn)料噴嘴呈環(huán)形分布于底盤(pán)上面，所述電極孔沿底盤(pán)中心向外依次設(shè)有7圈電極孔，內(nèi)4圈電極孔相互關(guān)系呈正六邊形分布，外3圈電極孔相互關(guān)系呈同心圓，所述尾氣孔位于底盤(pán)最外側(cè)。

優(yōu)選的，所述四圈進(jìn)料噴嘴從內(nèi)向外的次序?yàn)榈谝贿M(jìn)料噴嘴、第二進(jìn)料噴嘴、第三進(jìn)料噴嘴和第四進(jìn)料噴嘴，所述第一進(jìn)料噴嘴數(shù)量為6個(gè)，所述第二進(jìn)料噴嘴數(shù)量為6個(gè)，所述第三進(jìn)料噴嘴數(shù)量為12個(gè)，所述第四進(jìn)料噴嘴數(shù)量為12個(gè)。

優(yōu)選的，所述7圈電極孔分別為第一電極孔、第二電極孔、第三電極孔、第四電極孔、第五電極孔、第六電極孔、第七電極孔，所述第一電極孔數(shù)量為6個(gè)，第二電極孔數(shù)量為6個(gè)，第三電極孔數(shù)量為12個(gè)，第四電極孔數(shù)量為12個(gè)，第五電極孔數(shù)量為28個(gè)，第六電極孔數(shù)量為36個(gè)，第七電極孔數(shù)量為44個(gè)。

優(yōu)選的，內(nèi)4圈的電極孔在安裝硅芯橫梁時(shí)，采用跨圈相鄰的兩個(gè)電極孔搭接，外3圈的電極孔采用同圈的相鄰兩個(gè)電極孔搭接。

優(yōu)選的，相鄰電極孔距離為200mm-250mm。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型對(duì)還原反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的各種熱量進(jìn)行整合，合理利用硅棒間的熱輻射，冷熱物料的熱傳導(dǎo)，有效控制霧化，提升多晶硅一次轉(zhuǎn)化率至11%~12%；提升多晶硅沉積速度至160~180kg/h，降低還原電耗至35kw/kg-Si，大幅降低多晶硅生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：底盤(pán)1；第七電極孔2；尾氣孔3；第四進(jìn)料噴嘴4；第六電極孔5；第五電極孔6；第三進(jìn)料噴嘴7；第四電極孔8；第二進(jìn)料噴嘴9；第三電極孔10；第二電極孔11；第一進(jìn)料噴嘴12；內(nèi)進(jìn)料噴嘴13；第一電極孔14。

具體實(shí)施方式