[實用新型]一種化學機械研磨裝置

有效

• 申請號: 201921036015.8
• 申請日: 2019-07-04
• 公開（公告）號: CN210704230U
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 黃文聰;陳文超;劉彥棠
• 申請（專利權）人: 黃文聰
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/27;B24B47/12;B24B55/06
• 代理公司: 深圳眾邦專利代理有限公司 44545
• 代理人: 羅川

本實用新型提供一種化學機械研磨裝置。所述一種化學機械研磨裝置，包括：底架；升降設備，所述升降設備設置于所述底架的頂部，所述升降設備包括升降框，并且所述升降框的內壁的底部固定連接有電動氣缸；連接設備，所述連接設備設置于所述底架的頂部，所述連接設備包括固定桿，并且固定桿的表面滑動連接有移動架。本實用新型提供的一種化學機械研磨裝置具有，啟動吸泵的動力帶動吸液管和排液管對研磨頭進行清洗，整個裝置，對半導體晶圓進行化學機械研磨后對研磨頭進行清洗，有效去除了在化學機械研磨中殘留在研磨頭或研磨頭邊緣上的顆粒、副產物以及研磨液結晶等殘留物，防止了殘留物對下一步化學機械研磨或下一片晶圓的化學機械研磨的損。

技術領域

本實用新型涉及研磨設備領域，尤其涉及一種化學機械研磨裝置。

背景技術

化學機械研磨，晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司于1985年發展CMOS產品引入，并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產中。1995年以后，CMP技術得到了快速發展，大量應用于半導體產業。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。

現有的化學機械研磨裝置結構簡單，功能單一，在制程中常常會在晶圓表面上造成許多缺陷，這些缺陷主要包括劃痕微粒、研磨液結晶殘留物等，其中特別引起關注的是劃痕，因為它們通常是晶圓的致命的缺陷，會極大程度地降低晶圓的總的良率。

因此，有必要提供一種化學機械研磨裝置解決上述技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種化學機械研磨裝置，解決了現有的化學機械研磨裝置結構簡單，功能單一，不具有清理的作用的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種化學機械研磨裝置，包括：底架；升降設備，所述升降設備設置于所述底架的頂部，所述升降設備包括升降框，并且所述升降框的內壁的底部固定連接有電動氣缸；連接設備，所述連接設備設置于所述底架的頂部，所述連接設備包括固定桿，并且固定桿的表面滑動連接有移動架，所述移動架的左側固定連接有頂架；驅動設備，所述驅動設備設置于所述頂架的頂部，并且所述驅動設備包括消音箱；驅動電機，所述驅動電機設置于所述消音箱的內壁的頂部，并且所述驅動電機的輸出軸固定連接有轉動桿，所述轉動桿的底端固定連接有研磨頭；支撐設備，所述支撐設備設置于所述底架的頂部，所述支撐設備包括穩定框，并且所述穩定框的內壁的底部轉動連接有活動桿；放置設備，所述放置設備設置于所述活動桿的頂部，所述放置設備包括加熱框，并且所述加熱框的頂部固定連接有研磨槽；加液裝置，所述加液裝置設置于所述底架的頂部，并且所述加液裝置包括清洗箱，所述清洗箱的頂部的左側固定連接有吸泵。

優選的，所述電動氣缸的頂部固定連接有固定塊。

優選的，所述活動桿位于穩定框的內部的一端的表面固定連接有第一皮帶輪。

優選的，所述穩定框的內壁底部的右側固定連接有轉動電機，并且所述轉動電機的輸出軸固定連接有第二皮帶輪。

優選的，所述穩定框的內壁底部的左側固定連接有供電箱，并且所述供電箱的內壁的底部設置有供電池。

優選的，所述加熱框的內壁底部設置有加熱塊，所述加熱框的內壁的兩側之間設置有加熱管，并且所述加熱管的表面纏繞有加熱絲。

優選的，所述吸泵的吸口連通有吸液管，并且所述吸泵的排口連通有排液管，所述清洗箱的右側連通有進液管。