[實用新型]一種紫外發光二極管外延結構有效
| 申請號： | 201921032380.1 | 申請日： | 2019-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN210156413U | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 農明濤;莊家銘;賀衛群;郭嘉杰;仇美懿 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓;李素蘭 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 發光二極管 外延 結構 | ||
1.一種紫外發光二極管外延結構，其特征在于，包括依次設于襯底上的AlN層、過渡層、N型AlGaN層、有源層、阻擋層和P型AlGaN層；
所述有源層由若干個周期的量子阱結構組成，所述量子阱結構包括AlGaN阱層和AlGaN壘層；
所述過渡層由若干個周期的AlN/AlGaN超晶格結構組成，每個周期的AlN/AlGaN超晶格結構包括AlN層和第一AlGaN層。
2.如權利要求1所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述過渡層的厚度為200～400nm。
3.如權利要求2所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，每個AlN/AlGaN超晶格結構的厚度為2～10nm。
4.如權利要求3所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述AlN層的厚度為1～5nm，所述第一AlGaN層的厚度為1～5nm。
5.如權利要求1所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述有源層由3～5個周期的量子阱結構組成。
6.如權利要求5所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述AlGaN阱層的厚度為3～8nm，所述AlGaN壘層的厚度為4～10nm。
7.如權利要求1所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述阻擋層為P型AlGaN層，所述阻擋層的厚度為30～60nm。
8.如權利要求1所述的紫外發光二極管外延結構，其特征在于，所述AlN層的厚度是2～4μm。
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