[實用新型]基于工業(yè)微波加熱破碎硅料的連續(xù)生產(chǎn)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921030201.0 | 申請日: | 2019-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN210065192U | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 甄崇禮;張紀堯 | 申請(專利權(quán))人: | 山東澳聯(lián)新材料有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/02 | 分類號: | C01B33/02;B02C23/00;H05B6/78;H05B6/80 |
| 代理公司: | 37280 淄博啟智達知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人: | 王燕;屈興敏 |
| 地址: | 255086 山東省淄博市張店區(qū)高*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅料 加熱 微波干燥段 微波加熱段 冷介質(zhì) 驟冷 傳送裝置 隧道式 破碎 微波 連續(xù)生產(chǎn)裝置 單晶硅 碎塊 本實用新型 浸入 傳輸裝置 多晶硅棒 工業(yè)微波 冷卻介質(zhì) 能量來源 微波干燥 物料通過 下游工藝 低環(huán)境 硅塊料 履帶式 擊打 貫穿 轉(zhuǎn)換 應用 | ||
本實用新型主要應用于單晶硅或多晶硅棒/硅塊料加熱破碎的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于工業(yè)微波加熱破碎硅料的連續(xù)生產(chǎn)裝置,包括隧道式微波加熱段、冷介質(zhì)驟冷段及隧道式微波干燥段及傳送裝置,傳送裝置按照輸送方向依次貫穿微波加熱段、冷介質(zhì)驟冷段及微波干燥段。物料通過履帶式傳輸裝置,順序通過微波加熱段、冷介質(zhì)驟冷段和微波干燥段。以微波作為能量來源,利用微波在硅料內(nèi)部均勻轉(zhuǎn)換成熱能的特性,在較低環(huán)境溫度下,加熱硅料。然后將加熱后的硅料浸入冷卻介質(zhì),再經(jīng)過微波干燥,使硅料干燥。干燥后的硅料經(jīng)輕微擊打,可碎成均勻的、符合下游工藝需求的碎塊。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種基于工業(yè)微波加熱破碎硅料的連續(xù)生產(chǎn)裝置,主要應用于單晶硅或多晶硅棒/硅塊料加熱破碎的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
太陽能資源豐富、分布廣泛,是21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ目稍偕茉础kS著全球能源短缺和環(huán)境污染等問題日益突出,太陽能光伏發(fā)電因其清潔、安全、便利、高效等特點,已成為世界各國普遍關(guān)注和重點發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)。在此背景下,全球光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)增長迅猛,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,產(chǎn)品成本持續(xù)下降。
在光伏產(chǎn)品生產(chǎn)過程中,隨著技術(shù)的進步,近幾年來太陽能電池組件的價格大幅下降,從而對整個產(chǎn)業(yè)鏈中的各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)的高效節(jié)能提出了更高的要求。其中就包括對原生多晶硅或單晶硅大塊料或棒料進行破碎過程,這是單晶硅拉制提純過程中的一個必要環(huán)節(jié)。由于光伏電池組件對單晶硅的純度要求非常高,通常達到9個9以上,為防止在破碎工程中操作過程對原料的污染,對硅棒或塊料的破碎流程的工藝要求也非常嚴格。
在原來產(chǎn)量較小的情況下,一般采用人工,用硬質(zhì)合金鋼或碳化鎢錘子,在潔凈空間內(nèi)對硅塊或棒料進行手工破碎。雖然這個工藝存在勞動強度大、效率低、易污染和浪費嚴重的缺點,但由于其他工藝很難滿足工況要求,此工藝一直被沿用。但隨著產(chǎn)能的逐年提高,此工藝已經(jīng)遠遠不能滿足行業(yè)的需求。近些年來,不同商業(yè)機構(gòu)和科研單位一直在不斷開發(fā)新型的硅棒和硅塊破碎的方法。主要集中在以下幾個方向:
直接物理機械敲擊或擠壓破碎技術(shù)。在此類生產(chǎn)工藝中,一般采取顎式破碎機,通過兩片金屬板對物料進行擠壓破碎;或通過滾筒擠壓,當物料通過滾筒縫隙時,被擠壓破碎;或經(jīng)過旋轉(zhuǎn)的帶有金屬棒的腔體,當物料經(jīng)過時,被金屬棒或錘打碎,例如:CN203044126U,CN105536920A,CN108654816A,CN108837921A,CN205517916U,CN207287535U,CN208244812U。此類技術(shù),即便對金屬表面進行過耐磨處理,但在持續(xù)生產(chǎn)過程中,極易造成保護層破損,從而使物料與金屬面直接觸造成金屬離子污染,這對單晶硅拉制會造成致命的缺陷;
低溫冷凍破碎技術(shù),在此類技術(shù)中,硅料被進入液氮或液氬中,利用速冷造成的表面收縮,從而使物料破裂,例如:CN108405035A。此類技術(shù)對生產(chǎn)環(huán)境要求比較苛刻,產(chǎn)能低,成本高;
高壓脈沖破碎技術(shù),此技術(shù)利用“閃電”的原理,通過高壓電弧,在硅料表面瞬間能量,造成硅料表面高溫、高壓,造成硅料的破裂,例如:CN108295994A。此類技術(shù),高壓電弧放電的時候,會造成硅料表面的局部高溫燒結(jié),從而影響終端產(chǎn)品的品質(zhì)。同時此技術(shù)還存在能耗高、效率低等缺點。
熱破碎技術(shù),此類設備是通過外部熱源,對硅料進行加熱,待升到一定溫度,再將硅料轉(zhuǎn)移到冷卻介質(zhì)中,通過驟冷造成的表面收縮的不均勻性,引發(fā)硅料的破裂,例如專利CN201473321U中提到的技術(shù)。此類技術(shù),一般采用電阻爐加熱的方式,要達到硅料快速升溫的目的,環(huán)境溫度要求很高,這樣極易造成硅料表面的氧化,從而影響終端產(chǎn)品的性能。如果降低環(huán)境溫度,則加熱時間過長,影響產(chǎn)率。
以上各類技術(shù),多采用間歇生產(chǎn),都存在不同程度的低效率、高能耗、產(chǎn)能低、物料浪費嚴重。更致命的是,這些工藝,都極易引入雜質(zhì),從而極大影響終端產(chǎn)品的品質(zhì)。
實用新型內(nèi)容
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