[實(shí)用新型]一種晶圓鍍膜工藝裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921024222.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210765501U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王新征;姚麗英;黎微明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 萬(wàn)婧;張瑩 |
| 地址: | 214028 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鍍膜 工藝 裝置 | ||
本實(shí)用新型具體公開(kāi)了一種晶圓鍍膜工藝裝置,屬于真空鍍膜領(lǐng)域,包括上腔體、內(nèi)腔體、下腔體、晶圓上下料機(jī)構(gòu)、晶圓運(yùn)載裝置,其中上腔體位于下腔體上部,下腔體一側(cè)有進(jìn)料口,內(nèi)腔體位于上腔體中,上下料機(jī)構(gòu)位于下腔體下部,內(nèi)腔體與上腔體下部設(shè)有開(kāi)口,使內(nèi)腔體與下腔體連通,晶圓運(yùn)載裝置能夠在下腔體與內(nèi)腔體間運(yùn)動(dòng)。在下腔體中進(jìn)行多片晶圓的裝卸,然后通過(guò)晶圓上下料機(jī)構(gòu)將多片晶圓運(yùn)到內(nèi)腔體中進(jìn)行鍍膜,在實(shí)現(xiàn)使晶圓的鍍膜工序與上下料工序從空間上進(jìn)行分離,各自分配有專署的運(yùn)行空間,便于控制、防止在內(nèi)腔體反應(yīng)后產(chǎn)生的顆粒物污染其它腔室,同時(shí)可在保障鍍膜的膜面積均勻度下實(shí)現(xiàn)批量鍍膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓鍍膜工藝裝置。
背景技術(shù)
由于高端微納器件制造的技術(shù)要求和生產(chǎn)壁壘高,為保證生產(chǎn)的產(chǎn)品良率,當(dāng)前的微納器件制造大多采用單晶片式原子層沉積(ALD)裝備,以保障良品率,但這樣就無(wú)法滿足高產(chǎn)能和低成本的需求。由于現(xiàn)有產(chǎn)品并非根據(jù)ALD技術(shù)的工藝特點(diǎn)進(jìn)行開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),都面臨反應(yīng)腔體容積過(guò)大,工藝時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等缺點(diǎn),加之自動(dòng)化方案復(fù)雜,生產(chǎn)成本高,缺乏穩(wěn)定性,并未真正形成成熟的產(chǎn)業(yè)化產(chǎn)品。因此,開(kāi)發(fā)高效可靠的批量型ALD設(shè)備以提高產(chǎn)能和降低成本是全球高端微納器械制造裝備急需解決的重大課題。
鑒于以上問(wèn)題,本實(shí)用新型將設(shè)計(jì)多晶圓裝載結(jié)構(gòu),提高產(chǎn)能。鍍膜單腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為上下多腔體結(jié)構(gòu),簡(jiǎn)化自動(dòng)化裝載。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是,克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供便于控制、防止不同腔體間的交叉污染,同時(shí)可在保障鍍膜的膜面積均勻度下實(shí)現(xiàn)批量鍍膜,具體而言,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
一種晶圓鍍膜工藝裝置,從上到下依次包括上腔體、下腔體、上下料機(jī)構(gòu),其中上腔體內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)腔體;下腔體的內(nèi)部設(shè)有晶圓運(yùn)載裝置,晶圓運(yùn)載裝置與上下料機(jī)構(gòu)連接,下腔體一側(cè)設(shè)有進(jìn)料口;所述的內(nèi)腔體底部具有第一開(kāi)口,所述的上腔體底部具有第二開(kāi)口,所述的下腔體上部具有第三開(kāi)口,所述的第一開(kāi)口不大于第二開(kāi)口,所述第三開(kāi)口不小于第二開(kāi)口,所述的第一開(kāi)口、第二開(kāi)口、第三開(kāi)口形成通孔,晶圓運(yùn)載裝置通過(guò)通孔在下腔體與內(nèi)腔體之間移動(dòng),晶圓運(yùn)載裝置移動(dòng)到內(nèi)腔體時(shí),所述的晶圓運(yùn)載裝置將第三開(kāi)口封閉。
進(jìn)一步的,所述上腔體與內(nèi)腔體之間設(shè)置有中空支撐結(jié)構(gòu),所述的第一開(kāi)口與中空支撐結(jié)構(gòu)的上端開(kāi)口大小相同,所述的第二開(kāi)口為中空支撐結(jié)構(gòu)的下端開(kāi)口。
所述的晶圓運(yùn)載裝置從下往上依次包括上下料機(jī)構(gòu)中軸、腔體封閉門(mén)、托盤(pán)、晶圓載具,上下料機(jī)構(gòu)中軸的下端連接上下料機(jī)構(gòu),通過(guò)上下料機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)運(yùn)行,腔體封閉門(mén)的大小不小于托盤(pán)的大小。
進(jìn)一步的,所述腔體封閉門(mén)與第三開(kāi)口的大小相同,托盤(pán)與第二開(kāi)口大小相同。
進(jìn)一步的,晶圓載具設(shè)有至少兩個(gè)晶圓槽,晶圓槽沿同一軸線排列,且與托盤(pán)平行。
進(jìn)一步的,所述的晶圓槽上設(shè)置有導(dǎo)向定位結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述導(dǎo)向定位結(jié)構(gòu)上設(shè)置有定位柱,定位柱在水平方向沿同一直線排列。
所述內(nèi)腔體內(nèi)設(shè)置有噴淋板。內(nèi)腔體外周設(shè)置有加熱器。
所述進(jìn)料口外側(cè)連接有矩形門(mén)閥。
當(dāng)下腔體通過(guò)矩形閥門(mén)與外部傳遞腔(現(xiàn)有成熟技術(shù))連接后,外部傳遞腔內(nèi)的真空機(jī)械手(現(xiàn)有成熟技術(shù))可與晶圓運(yùn)載裝置配合運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)晶圓的傳送操作。矩形門(mén)閥是工藝腔體與外部晶圓傳遞腔的連接口,通過(guò)矩形門(mén)閥的開(kāi)啟與關(guān)閉,來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)外部的氣壓平衡,或者在工藝需要時(shí)將內(nèi)外部不同的壓力環(huán)境進(jìn)行隔離,確保工藝反應(yīng)正常運(yùn)行。
進(jìn)一步的,下腔體的外部還設(shè)計(jì)有單個(gè)或多個(gè)觀察窗。通過(guò)觀察窗可以方便的觀察腔體內(nèi)部晶圓上下料的全過(guò)程,觀察窗可安裝在接近矩形門(mén)閥處,觀察機(jī)械手上下料過(guò)程;也可以安裝在其他位置,觀察升降組件運(yùn)動(dòng)過(guò)程;若生產(chǎn)過(guò)程出現(xiàn)意外,則還可通過(guò)拆卸觀察窗進(jìn)行腔內(nèi)調(diào)節(jié)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





