[實(shí)用新型]用于主板的上電自啟動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921015101.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210295030U | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王維;何建偉;陳小兵;黎小兵;辛大勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山嘉提信息科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F1/26 | 分類號(hào): | G06F1/26;H03K17/567 |
| 代理公司: | 蘇州隆恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32366 | 代理人: | 周子軼 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 主板 啟動(dòng) 電路 | ||
1.一種用于主板的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:包括第一N溝道MOS管(Q1)、第二N溝道MOS管(Q2)、第三N溝道MOS管(Q3)、第四N溝道MOS管(Q4)、第五N溝道MOS管(Q5)以及邏輯芯片(U1),所述第一N溝道MOS管(Q1)和第四N溝道MOS管(Q4)的柵極并聯(lián)于南橋芯片ACPI控制器的RSMRST信號(hào)引腳,所述第一N溝道MOS管(Q1)的漏極與所述第二N溝道MOS管(Q2)的柵極之間并聯(lián)有第一二極管(D1)、第三電阻(R3),所述第二N溝道MOS管(Q2)的漏極電連接于所述邏輯芯片(U1)的第一輸入引腳,所述第四N溝道MOS管(Q4)的漏極與所述第五N溝道MOS管(Q5)的柵極之間并聯(lián)有第二二極管(D2)、第七電阻(R7),所述第五N溝道MOS管(Q5)的漏極電連接于所述邏輯芯片(U1)的第二輸入引腳,所述邏輯芯片(U1)的輸出引腳電連接于所述第三N溝道MOS管(Q3)的柵極,所述第三N溝道MOS管(Q3)的漏極電連接于南橋芯片ACPI控制器的PWRBTN信號(hào)引腳,所述第一N溝道MOS管(Q1)、第二N溝道MOS管(Q2)、第四N溝道MOS管(Q4)和第五N溝道MOS管(Q5)的源極接地、漏極電連接有第一電源,所述第三N溝道MOS管(Q3)的源極接地、漏極電連接有第二電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第一二極管(D1)導(dǎo)通方向?yàn)樗龅谝籒溝道MOS管(Q1)的漏極向第二N溝道MOS管(Q2)的柵極方向?qū)ā?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第二二極管(D2)導(dǎo)通方向?yàn)樗龅谒腘溝道MOS管(Q4)的漏極向第五N溝道MOS管(Q5)的柵極方向?qū)ā?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第一電源為5V直流電,所述第二電源為3.3V直流電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第二N溝道MOS管(Q2)柵極通過(guò)第二電容(C2)接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第五N溝道MOS管(Q5)柵極通過(guò)第三電容(C3)接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述邏輯芯片(U1)電源引腳并聯(lián)有所述第一電源以及第一電容(C1),所述第一電容(C1)接地,所述邏輯芯片(U1)接地引腳接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述邏輯芯片(U1)為異或邏輯門。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第一N溝道MOS管(Q1)、第二N溝道MOS管(Q2)、第四N溝道MOS管(Q4)和第五N溝道MOS管(Q5)漏極分別通過(guò)第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第五電阻(R5)和第六電阻(R6)電連接于所述第一電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電自啟動(dòng)電路,其特征在于:所述第三N溝道MOS管(Q3)通過(guò)第四電阻(R4)電連接于所述第二電源。
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