[實用新型]單極化封裝天線有效
| 申請號: | 201921013314.X | 申請日: | 2019-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN209880547U | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | 趙海霖;周祖源;吳政達;林正忠 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/482;H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q9/30 |
| 代理公司: | 31219 上海光華專利事務所(普通合伙) | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 天線 單極化天線 單極化 本實用新型 金屬布線層 重新布線層 天線金屬 信號傳輸 移動信道 低延遲 封裝層 空氣腔 占據 | ||
本實用新型提供一種單極化封裝天線,單極化封裝天線包括:重新布線層及單極化天線結構;單極化天線結構包括位于封裝層中,并以天線金屬層作為頂部,以金屬布線層作為底部的空氣腔,從而可減少封裝天線在移動信道中的損耗,使得信號傳輸速度更快,以憑借其高速度、低延遲的特點,在5G市場中占據有利地位。
技術領域
本實用新型屬于半導體封裝技術領域,涉及一種單極化封裝天線。
背景技術
隨著高科技電子產品的普及,特別是為了配合移動的需求,大多數高科技電子產品都增加了無線通訊的功能。
封裝天線(Antenna in Package,簡稱AiP)是基于封裝材料與工藝,將天線與集成電路(IC)集成在封裝內,實現系統級無線功能的一門技術,其可攜帶高度集成的無線電或雷達收發模塊。AiP技術由于順應了硅基半導體工藝集成度提高的潮流,為系統級無線芯片提供了良好的天線與封裝解決方案,因此,AiP技術已被芯片制造商廣泛應用于無線電和雷達。AiP技術在性能、尺寸、成本等方面都達到了很好的平衡,是近年來天線技術的一項重要成果。
隨著5G(5th Generation)通信的到來,對低延遲、高速度和大容量的通信提出了更高的要求,其中,主要問題集中于如何利用天線的布置來降低毫米波在移動信道中的損耗。
鑒于此,設計一種新型的單極化封裝天線,以降低封裝天線的信號損耗實屬必要。
實用新型內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種單極化封裝天線,用于解決現有技術中封裝天線的信號損耗的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本實用新型提供一種單極化封裝天線,所述單極化封裝天線包括:
重新布線層,所述重新布線層包括第一面及相對的第二面;
金屬連接柱,形成于所述重新布線層的第二面上,且與所述重新布線層電連接;
封裝層,覆蓋所述重新布線層的第二面及金屬連接柱,且所述封裝層的頂面顯露所述金屬連接柱;
空氣腔,貫穿所述封裝層,以顯露所述重新布線層的金屬布線層;
天線金屬層,位于所述封裝層上并與所述金屬連接柱電連接,且所述空氣腔以所述天線金屬層作為頂部,以所述金屬布線層作為底部。
可選的,所述天線金屬層與所述封裝層之間還包括金屬種子層。
可選的,所述金屬布線層包括銅層、鋁層、鎳層、金層、銀層及鈦層中的一種或組合;所述天線金屬層包括銅層、鋁層、鎳層、金層、銀層及鈦層中的一種或組合。
可選的,所述金屬連接柱包括銅金屬柱、金金屬柱、銀金屬柱及鋁金屬柱中的一種或組合。
可選的,所述封裝層包括聚酰亞胺層、硅膠層及環氧樹脂層中的一種或組合。
如上所述,本實用新型的單極化封裝天線,在封裝層中形成以天線金屬層作為頂部,以金屬布線層作為底部的空氣腔,從而可減少封裝天線在移動信道中的損耗,使得信號傳輸速度更快,以憑借其高速度、低延遲的特點,在5G市場中占據有利地位。
附圖說明
圖1顯示為本實用新型中的單極化封裝天線的制備工藝流程圖。
圖2~圖17顯示為本實用新型中的制備單極化封裝天線各步驟所呈現的結構示意圖,其中,圖17顯示為本實用新型中的單極化封裝天線的結構示意圖。
元件標號說明
101 支撐基底
102 分離層
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯長電半導體(江陰)有限公司,未經中芯長電半導體(江陰)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921013314.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:三維扇出型指紋識別芯片的封裝結構
- 下一篇:光伏組件功率優化器在線測試裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





