[實用新型]硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊有效
| 申請號: | 201921013305.0 | 申請日: | 2019-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN210596319U | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 宰劉根;金笑;楊曉忠 | 申請(專利權)人: | 江陰東升新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B28/06 | 分類號: | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司: | 江陰市輕舟專利代理事務所(普通合伙) 32380 | 代理人: | 曹鍵 |
| 地址: | 214426 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅芯方錠 鑄錠 裝置 向導 | ||
本實用新型涉及一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊,包括導氣塊本體,所述導氣塊本體的橫向中軸線上間隔設置有五個通氣口,其中,最左邊一個通氣口設置為出氣口,其余四個通氣口均設置為進氣口,所述導氣塊本體的正面設置有冷卻槽,所述冷卻槽內自左至右依次間隔設置有第一導氣凸塊、兩個前后對稱的第二導氣凸塊以及兩個前后對稱的第三導氣凸塊。本實用新型一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊結構設計合理,其具有冷卻均勻、提高產品質量的優點。
技術領域
本實用新型涉及一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊,屬于多晶硅生產技術領域。
背景技術
多晶硅鑄錠裝置是一種硅原料重融設備,用于低成本生產太陽能級多晶硅鑄錠,其作用是將多晶硅原料按照設定的工藝,經過加熱融化、定向結晶、退火、冷卻等階段后成為沿一定方向生長的多晶硅錠。但是,現有的多晶硅鑄錠裝置結構設計不合理,不利于生產加寬加長型硅芯方錠,定向導氣塊氣體走向單一,冷卻不均勻,無法為多晶硅錠提供較好的生長環境,由此,影響了多晶硅錠的結晶質量以及硅芯方錠的尺寸。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種結構設計合理、冷卻均勻、提高產品質量的硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊。
本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為:一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊,包括導氣塊本體,所述導氣塊本體的橫向中軸線上間隔設置有五個通氣口,其中,最左邊一個通氣口設置為出氣口,其余四個通氣口均設置為進氣口,所述導氣塊本體的正面的中部設置有冷卻槽,所述冷卻槽內自左至右依次間隔設置有第一導氣凸塊、兩個前后對稱的第二導氣凸塊以及兩個前后對稱的第三導氣凸塊,出氣口和自左至右排列的第一個進氣口位于兩個第一導氣凸塊內,其余三個進氣口位于兩個第二導氣凸塊以及兩個第三導氣凸塊之間。
優選的,所述第一導氣凸塊設置為開口向左的U型結構,所述第一導氣凸塊包括兩個前后平行的第一導氣凸塊橫段、兩個前后對稱的向左外側傾斜的第一導氣凸塊斜段以及一個第一導氣凸塊縱段,所述第一導氣凸塊縱段設置于兩個的第一導氣凸塊橫段的右側之間,第一導氣凸塊縱段的前后兩端通過第一導氣凸塊斜段分別與兩個第一導氣凸塊橫段的右端連接,出氣口和自左至右排列的第一個進氣口位于兩個第一導氣凸塊橫段之間;
所述第二導氣凸塊設置為平行四邊形結構,所述第二導氣凸塊的內側面和外側面設置為相互平行的平面,所述第二導氣凸塊的左右兩端面設置有相互平行的第一斜面;
所述第三導氣凸塊的內側面設置為平面,第三導氣凸塊的外側面自左至右依次包括第三導氣凸塊長橫段、向右外側傾斜的第三導氣凸塊斜段以及第三導氣凸塊短橫段,所述第三導氣凸塊的左端面設置有第二斜面。
優選的,所述第二導氣凸塊的左端面和右端面分別與第一導氣凸塊斜段的外側面和第三導氣凸塊的左端面相互平行。
優選的,所述第一導氣凸塊橫段、第二導氣凸塊以及第三導氣凸塊位于同一橫向直線上。
優選的,所述導氣塊本體上設置有前后兩排固定安裝孔。
所述導氣塊本體的背面設置有四個定位孔。
與現有技術相比,本實用新型的優點在于:
本實用新型一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊,其結構設計合理,通過改善其冷卻槽路徑,大大提高了定向導氣塊冷卻的均勻性,能夠為多晶硅錠提供具有較好的生長環境,有效保證了最終的產品質量。
附圖說明
圖1為本實用新型一種硅芯方錠鑄錠裝置定向導氣塊的結構示意圖。
圖2為定向導氣塊的正面示意圖。
圖3為定向導氣塊的背面示意圖。
圖4為圖2的A-A剖視圖。
圖5為圖3的B-B剖視圖。
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