[實用新型]多級異型緩流裝置

有效

• 申請號: 201921004300.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN210425988U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 劉留;羅愛斌;陳章水;周鐵軍;賓啟雄;楊偉;蔡新志
• 申請（專利權）人: 廣東先導先進材料股份有限公司
• 主分類號: F26B17/16
• 分類號: F26B17/16;F26B25/18;F26B3/04;C01B35/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 紀志超

本實用新型提供了一種多級異型緩流裝置，包括：爐體；自上而下沿爐體內壁兩側交替設置的若干個儲料盤；所述儲料盤包括：盤體；所述盤體邊緣設有邊框，連接爐體內壁的另一側設有出料口；通過所述出料口與所述盤體相連楔形溢流口；設置在上方的儲料盤的楔形溢流口與設置在下方的儲料盤的盤體垂直相對。與現有技術相比，本實用新型提供的多級異型緩流裝置采用特定結構，能夠延長溶解的物料在爐體中的滯留時間，有效擴大物料與熱氣流的接觸面積，從而能夠對硼酸實現充分、均勻脫水，提高脫水效率。

技術領域

本實用新型涉及氧化硼合成技術領域，更具體地說，是涉及一種多級異型緩流裝置。

背景技術

近年來，砷化鎵半導體在發光器件和高頻器件需求旺盛，業內公司除積極擴產外，晶體良品率的提升也將極大推動產能擴大滿足市場需求。目前，國內生產砷化鎵的晶體生長良品率一般在70％以下，與國外相關技術的晶體生長良品率達80％以上存在明顯差距；因此，開發新技術以提高砷化鎵的晶體生長良品率，進而提高半導體晶體電性能成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。

作為砷化鎵單晶生長的重要原料，高純氧化硼對提高砷化鎵的晶體生長良品率具有重要作用。但是，現有技術中高純氧化硼的制備方法中原料硼酸的脫水工藝非常簡陋，具體為：將水解高純硼酸混合液依次經過濾、100℃蒸發干燥，得到初級脫水高純硼酸，再用40cm×30cm的平底不銹鋼托盤裝盤，依次經110℃～160℃烘烤箱烘烤8h～14h、靜置冷卻至常溫，得到干燥的高純硼酸包裝捆扎；該工藝雖然設備成本低(僅用烘烤箱)、操作簡單，但是存在脫水不均勻、不充分且效率低的缺點，這是由于平底不銹鋼托盤放置的初級脫水高純硼酸不便翻動，僅靠長時間烘烤脫水，脫水效率低，且結塊部分或料塊內部脫水不充分，而料塊外部或疏松部位的原料則已比較干燥。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種多級異型緩流裝置，能夠對硼酸實現充分、均勻脫水，提高脫水效率。

本實用新型提供了一種多級異型緩流裝置，包括：

爐體；

自上而下沿爐體內壁兩側交替設置的若干個儲料盤；

所述儲料盤包括：

盤體；所述盤體邊緣設有邊框，連接爐體內壁的另一側設有出料口；

通過所述出料口與所述盤體相連楔形溢流口；

設置在上方的儲料盤的楔形溢流口與設置在下方的儲料盤的盤體垂直相對。

優選的，所述儲料盤連接爐體內壁的一側設有連接孔，用于將所述儲料盤固定在爐體上。

優選的，所述邊框為圓弧型，圓弧面向所述盤體外側凸出。

優選的，所述出料口為開口縮窄的出料口。

優選的，所述楔形溢流口沿所述開口縮窄的出料口開口漸寬。

優選的，所述儲料盤的個數為3個～6個。

本實用新型提供了一種多級異型緩流裝置，包括：爐體；自上而下沿爐體內壁兩側交替設置的若干個儲料盤；所述儲料盤包括：盤體；所述盤體邊緣設有邊框，連接爐體內壁的另一側設有出料口；通過所述出料口與所述盤體相連楔形溢流口；設置在上方的儲料盤的楔形溢流口與設置在下方的儲料盤的盤體垂直相對。與現有技術相比，本實用新型提供的多級異型緩流裝置采用特定結構，能夠延長溶解的物料在爐體中的滯留時間，有效擴大物料與熱氣流的接觸面積，從而能夠對硼酸實現充分、均勻脫水，提高脫水效率。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的多級異型緩流裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的多級異型緩流裝置的俯視圖；