[實用新型]基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置和原子磁力儀

有效

• 申請號: 201920996904.2
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN210465663U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 蔡波;盛東
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032;G01R33/00;B81C3/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張博

1.一種基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，包括模具和陽極鍵合裝置，其中，

所述模具包括中間定位塊、第一擋塊、第二擋塊和框架，

所述中間定位塊的左側開設有用于定位第一柱面鏡的第一凹槽，其右側開設有用于定位第二柱面鏡的第二凹槽，

所述第一柱面鏡放置在所述第一凹槽中，所述第二柱面鏡放置在所述第二凹槽中，所述第一擋塊的一側抵住所述框架的內側，其另一側抵住所述第一柱面鏡將所述第一柱面鏡固定在所述第一凹槽中，所述第二擋塊的一側抵住所述框架的內側，其另一側抵住所述第二柱面鏡將所述第二柱面鏡固定在所述第二凹槽中，

所述中間定位塊的底部開設有用于定位固定硅片的第三凹槽，所述第一柱面鏡的底部與所述硅片接觸，所述第二柱面鏡的底部與所述硅片接觸，通過所述模具的精度確定所述第一柱面鏡和所述第二柱面鏡之間的相對距離以及所述第一柱面鏡和所述第二柱面鏡在所述硅片上的絕對位置，

所述陽極鍵合裝置包括用于放置所述模具的工作臺。

2.根據權利要求1所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽均為矩形槽。

3.根據權利要求1所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述硅片為18mm×30mm的單面拋光的半毫米厚硅片，晶向100。

4.根據權利要求1所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述模具為陶瓷模具。

5.根據權利要求4所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述陽極鍵合裝置上設置有加熱裝置。

6.根據權利要求5所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述加熱裝置為陶瓷板面加熱裝置。

7.根據權利要求1所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置，其特征在于，所述第三凹槽為矩形槽。

8.一種原子磁力儀，包括原子氣室，其特征在于，所述原子氣室為采用如上述權利要求1-7任意一項所述的基于鍵合多反射腔的原子氣室標準制作裝置制成的原子氣室。

9.根據權利要求8所述的原子磁力儀，其特征在于，還包括保溫盒、放置裝置和多層坡莫合金磁屏蔽桶，其中，

所述放置裝置為3D打印而成，所述放置裝置上開設有第一容納槽和第二容納槽，所述原子氣室放置在所述保溫盒中，所述保溫盒放置在所述第一容納槽中，光纖頭放置在所述第二容納槽中使得光沿固定角度射入所述原子氣室中，

所述放置裝置內置在所述多層坡莫合金磁屏蔽桶中。

10.根據權利要求9所述的原子磁力儀，其特征在于，所述多層坡莫合金磁屏蔽桶為五層坡莫合金磁屏蔽桶。