[實(shí)用新型]改善氣體分布的沉積室及MPCVD裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920996507.5
• 申請(qǐng)日: 2019-06-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210529059U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳嘯;范波;蔡玉珺;常豪鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/517
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/517;C23C16/455
• 代理公司: 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119
• 代理人: 賈東東

1.一種改善氣體分布的沉積室，包括基部、外罩體及沉積臺(tái)；

所述外罩體密封安裝在基部上，以與所述基部圍成反應(yīng)腔；

所述沉積臺(tái)，設(shè)置在基部的朝向反應(yīng)腔的一側(cè)；

所述基部上設(shè)有與所述反應(yīng)腔連通的進(jìn)氣通道和排氣通道；

其特征是：

改善氣體分布的沉積室還包括處于外罩體內(nèi)側(cè)、并向反應(yīng)腔上部延伸的導(dǎo)氣通道；

所述導(dǎo)氣通道與所述進(jìn)氣通道對(duì)接連通；

所述導(dǎo)氣通道上部與反應(yīng)腔連通，以將進(jìn)氣通道輸入的氣體引導(dǎo)至反應(yīng)腔上部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善氣體分布的沉積室，其特征是，所述導(dǎo)氣通道為沿外罩體周向延伸的環(huán)形通道或沿外罩體周向間隔均布多個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善氣體分布的沉積室，其特征在于：所述外罩體內(nèi)側(cè)設(shè)有軸向沿上下方向延伸的內(nèi)環(huán)套，內(nèi)環(huán)套與外罩體間隔布置以形成所述的環(huán)形通道，所述排氣通道的進(jìn)氣口位于內(nèi)環(huán)套的內(nèi)側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善氣體分布的沉積室，其特征是，所述外罩體上部的徑向尺寸由底向頂逐漸變小，內(nèi)環(huán)套上部的徑向尺寸也由底向頂逐漸變小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善氣體分布的沉積室，其特征是，所述外罩體上部為半球形，內(nèi)環(huán)套上部為削頂半球形。

6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任意一項(xiàng)所述的改善氣體分布的沉積室，其特征是，所述內(nèi)環(huán)套的材質(zhì)為石英或藍(lán)寶石。

7.根據(jù)權(quán)利要求3-5任意一項(xiàng)所述的改善氣體分布的沉積室，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)套和基部一體或分體設(shè)置。

8.一種MPCVD裝置，包括微波發(fā)生器、模式轉(zhuǎn)換器和諧振腔，諧振腔中設(shè)有沉積室，其特征是，所述沉積室為權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)中所述的改善氣體分布的沉積室。