[實用新型]一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件

有效

• 申請號: 201920995783.X
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN210605251U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 吳雅蘋;周江鵬;張純淼;吳志明;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;張迪

1.一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于包括電致伸縮基片、與電致伸縮基片底面連接的第一和第二導電電極、層疊設置在電致伸縮基片上表面的增強光吸收層、第一透明導電電極、III-VI族硫屬化物二維材料、BN二維材料絕緣層、以及第二透明導電電極；該器件在圓偏光激發下產生具有可控圓偏振極化率的旋光效應；

通過在與電致伸縮基片連接的第一和第二導電電極之間施加適當電壓可調控該旋光的圓偏振極化率，且通過在第一和第二透明導明電極之間施加適當電壓使該旋光波長從紫外到紅外的寬波段范圍內連續可調。

2.如權利要求1所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述電致伸縮基片采用鈮鎂酸鉛、鈮鎂酸鉛—鈦酸鉛、鋯鈦酸鉛鑭、鋯鈦酸鉛鋇中的一種。

3.如權利要求1所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述增強光吸收層為由表面等離子激元金屬材料構成的顆粒狀非周期性納米結構或周期性納米陣列結構中的一種。

4.如權利要求3所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述顆粒狀非周期性納米結構的顆粒個體大小、顆粒狀非周期性納米結構的顆粒間距尺度均在50～300nm范圍內。

5.如權利要求3所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述周期性納米陣列結構的周期單元結構、周期性納米陣列結構的周期尺度均在50～300nm范圍內。

6.如權利要求1所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述III-VI族硫屬化物二維材料的厚度d₁滿足范圍0d₁100nm。

7.如權利要求1所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述第一和第二透明導電電極采用石墨烯透明導電電極，其厚度d₂滿足范圍0d₂1nm。

8.如權利要求1所述一種具有電控極化率的可變波長二維旋光器件，其特征在于：所述BN二維材料絕緣層厚度d₃滿足范圍0d₃1nm。