[實用新型]一種硅片鍍膜載具有效
| 申請號: | 201920994032.6 | 申請日: | 2019-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN210325728U | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 田西林;張偉;張娟;陳躍;崔國慶;卞強 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京知迪知識產權代理有限公司 11628 | 代理人: | 王勝利 |
| 地址: | 225300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 鍍膜 | ||
本實用新型提供了硅片鍍膜載具,包括承載板,在承載板上開設的若干承載孔;承載板包括位于相鄰承載孔之間的隔條,以及位于承載板的邊緣的邊框;在隔條上的承載孔的孔壁包括對應硅片側邊的第一承載部,以及對應硅片頂角或倒角的第二承載部;第一承載部包括第一下沉段和第一傾斜段,第一下沉段自承載板的上表面豎直向下延伸;第一傾斜段順著第一下沉段的末端向承載孔中心的方向延伸;第二承載部包括第二下沉段和第二傾斜段,第二下沉段自承載板的上表面向下延伸;第二傾斜段順著第二下沉段的末端向承載孔中心的方向延伸;第二下沉段的下沉深度大于第一下沉段的下沉深度。由于本實用新型能夠兼容直角和倒角硅片,因此具有生產成本低和效率高的優點。
技術領域
本實用新型涉及硅片鍍膜技術領域,特別是涉及一種硅片鍍膜載具。
背景技術
單/多晶硅片一般需要利用鍍膜設備對其鍍膜來形成某些功能層,例如在其背面進行介質膜鈍化處理,以有效降低硅片背面的電子復合速度,同時提升硅片背面的光反射。鍍膜時,需要載具以承托硅片。
由于目前市場上的硅片以倒角硅片為主,因此,傳統的硅片鍍膜載具只能承載倒角硅片。目前又出現了直角硅片,直角硅片因在提升轉換效率和降低生產成本方面具有優勢,已經作為切實可行的方案應用到工業化生產中。所以,在近期很長一段時間內,生產線上將是倒角硅片和直角硅片并存的生產方式。
但是,傳統的鍍膜載具不能滿足直角硅片的承載需求,單獨設計適用于直角硅片的鍍膜載具也不適用于倒角硅片,這種鍍膜載具均不能適用于目前倒角硅片和直角硅片同時存在的產線上。
實用新型內容
針對上述問題,本實用新型的目的是提供一種能夠既適用倒角硅片、又適用直角硅片的硅片鍍膜載具。
為了實現上述目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種硅片鍍膜載具,包括承載板,在承載板上開設的若干承載孔;承載板包括位于相鄰承載孔之間的隔條,以及位于承載板的邊緣的邊框;在隔條上的承載孔的孔壁包括對應硅片側邊的第一承載部,以及對應硅片頂角或倒角的第二承載部;第一承載部包括第一下沉段和第一傾斜段,第一下沉段自承載板的上表面豎直向下延伸;第一傾斜段順著第一下沉段的末端向承載孔中心的方向延伸;第二承載部包括第二下沉段和第二傾斜段,第二下沉段自承載板的上表面向下延伸;第二傾斜段順著第二下沉段的末端向承載孔中心的方向延伸;第二下沉段的下沉深度大于第一下沉段的下沉深度。
采用了上述技術方案,當承載孔內承載倒角硅片時,倒角硅片的側邊由第一承載部的第一傾斜段承托,硅片的倒角部分對應第二承載部,實現對倒角硅片的承載。當承載孔內承載直角硅片時,由于第二下沉段對應的下沉深度大于第一下沉段對應的下沉深度,直角硅片的頂角可以被容納,且直角硅片的頂角呈懸空狀態,即承載孔的頂角處與直角硅片的頂角處不接觸,放置直角硅片時不會對直角硅片造成劃傷等破壞,因此,本方案涉及的載具既能適用倒角硅片、也能適用直角硅片,生產中,需要切換硅片類型時,無需隨之切換載具,因此具有兼容性好、生產效率高和生產成本低的優點。另外,硅片和第一傾斜段的接觸為線接觸,與現有載具的面接觸相比,能夠降低接觸處對硅片的損傷,提高硅片的良品率。
優選地,承載板上開設用于避讓硅片頂角的避讓凹坑;避讓凹坑位于承載孔的頂角處。
采用了上述技術方案,對應承載孔的頂角處的承載板上開設的避讓凹坑,能夠避讓硅片頂角,即使直角硅片發生晃動或位移,都可以避免硅片頂角與隔條發生碰撞,最終規避隔條對硅片頂角的損壞。
優選地,避讓凹坑為圓弧狀凹坑。
優選地,圓弧狀凹坑的直徑為2毫米至10毫米。
優選地,第一下沉段的下沉深度為0.8至1.5毫米;第二下沉段的下沉深度為1.7至2.0毫米。
優選地,第一傾斜段的傾斜角度為20度至30度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





