[實用新型]一種防水阻隔膜及太陽能電池有效
| 申請號: | 201920990581.6 | 申請日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN210429832U | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 張雨;談笑天;宋朱曉 | 申請(專利權)人: | 漢能新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
| 地址: | 101407 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防水 阻隔 太陽能電池 | ||
本申請涉及一種防水阻隔膜及太陽能電池,包括防水基底和阻水膜,所述防水基底的一側設有凹槽,所述阻水膜與所述防水基底的設有凹槽的一側貼合。通過在防水基底的一側設置凹槽,并且將所述阻水膜貼合連接于所述防水基底設有凹槽的一側,阻水膜厚度較小,因此整體上形成了具有凹槽的防水阻隔膜,防水阻隔膜的凹槽內可以容納電池器件需要防水的部分,凹槽底部的阻水膜可以防止水汽從正面進入電池器件,而凹槽側壁的阻水膜可以防止水汽從側面進入電池器件,使電池器件的正面和側面同時防水,增加了電池器件的側面防水問題,而且結構簡單,裝配方便,且不需對電池器件做任何改動,不會影響電池器件的固有性能和良率。
技術領域
本申請涉及太陽能發電設備技術領域,尤其涉及一種防水阻隔膜及太陽能電池。
背景技術
近年來,由于傳統能源問題日漸突出,新能源發展迅速,尤其以太陽能作為重視發展的能源之一。目前傳統的太陽能發電技術是晶硅電池技術,但是晶硅太陽能技術存在一些缺點,主要是其光電轉化效率已經接近其理論極限,上升空間不大,另外硅材料的脆性特質也阻礙了其應用于柔性應用領域。薄膜太陽能具有質輕的優點,便于柔性應用,可以很好的與輕質屋面與墻面結合,其發展越來越受到產業的重視。太陽能電池中核心材料都對水汽十分敏感,暴露在大氣環境下都及其容易發生電效率的衰減,因此阻水封裝結構對其保護非常重要。現有常規的阻水材料有玻璃,有機膜等,但是前者由于其笨重且不能實現彎折,應用十分受限,后者由于有機材料對阻水性能阻水能力有限,阻水效果并不是很好。現有的阻水封裝結構直接采用層壓方式貼附到電池表面,這可以有效的將電池器件的正面水汽進行阻隔,但卻無法防止側面進入水汽,有一些技術在電池器件周邊設計阻隔結構,雖然能夠阻隔水汽,但是需要在電池器件上進行相應結構的設計和添加,這不僅增加了裝配難度和生產成本,而且影響電池器件的固有性能和良率。
因此,需要提供一種防水阻隔膜及太陽能電池來解決現有技術的不足。
實用新型內容
為了解決現有技術中的問題,本申請提供了一種防水阻隔膜及太陽能電池。
一種防水阻隔膜,包括防水基底和阻水膜,所述防水基底的一側設有凹槽,所述阻水膜與所述防水基底的設有凹槽的一側貼合。
進一步的,所述防水基底為聚對苯二甲酸乙二醇酯防水基底。
進一步的,所述阻水膜為氮化硅阻水膜或氧化鋁阻水膜。
進一步的,所述阻水膜采用等離子體增強化學的氣相沉積法或物理氣相沉積法生成于所述防水基底上。
進一步的,所述凹槽的深度與所述防水基底的厚度的比的范圍為: 0.35-0.55。
進一步的,在與所述凹槽的延伸方向垂直的方向上,所述凹槽的長度與所述防水基底的長度的比的范圍為:0.65-0.85。
進一步的,在從所述凹槽的底部至其開口的方向上,所述凹槽的側壁逐漸向外傾斜。
基于同一發明思路,本申請還提供了一種太陽能電池,包括所述的防水阻隔膜。
進一步的,還包括總基底、電池芯片、第一膠膜層、第二膠膜層和乙烯四氟乙烯共聚膜;所述防水阻隔膜設于所述第一膠膜層和所述第二膠膜層間,所述防水基底與所述第二膠膜貼合連接,所述乙烯四氟乙烯共聚膜與所述第二膠膜貼合連接,所述第一膠膜層與所述凹槽內的所述阻水膜貼合連接,所述電池芯片與所述阻水膜貼合連接,所述總基底與所述電池芯片貼合連接。
進一步的,所述第一膠膜層和所述第二膠膜層均為聚烯烴彈性膠膜。
本申請的技術方案與最接近的現有技術相比具有如下優點:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于漢能新材料科技有限公司,未經漢能新材料科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920990581.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種鋁塑膜定位夾具
- 下一篇:一種鋰離子電池擠壓測試夾具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





