[實用新型]一種多晶用石英坩堝

有效

• 申請號: 201920979439.1
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN210420259U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 王金靈;白平平;周鐵軍;劉留
• 申請（專利權）人: 廣東先導先進材料股份有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李寧

本實用新型公開了一種多晶用石英坩堝，包括坩堝本體，坩堝本體頂部設置有坩堝口，坩堝本體的側端上連接有管嘴，管嘴與坩堝本體的內腔連通，且管嘴遠離坩堝本體的一端的開口的位置不低于坩堝口，以避免半導體多晶液體從管嘴溢出；在半導體多晶合成過程中，與坩堝本體內腔連通的管嘴有助于半導體溶液內部的氣體排出，同時也使液體加快凝固，消除多晶體表面的氣孔和坑洼，提高多晶體表面質量。

技術領域

本實用新型涉及半導體多晶合成技術領域，特別涉及一種多晶用石英坩堝。

背景技術

半導體材料如砷化鎵、磷化銦等在合成多晶需要坩堝做模具，合成固定形狀的多晶料，氮化硼坩堝是傳統半導體合成多晶的坩堝，熱解氮化硼(PBN)坩堝即使在高溫下，也不會與原料化合物反應，現有的PBN坩堝只能做半圓形的半導體多晶，且由于原料在坩堝內是按照從上到下的方向冷卻結晶，半導體溶液內部的氣體難以排出，會在半導體多晶表面形成坑洼孔洞。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種多晶用石英坩堝，以消除多晶體表面的氣孔和坑洼。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種多晶用石英坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體頂部設置有坩堝口，所述坩堝本體的側端上連接有管嘴，所述管嘴與所述坩堝本體的內腔連通，且所述管嘴遠離所述坩堝本體的一端的開口的位置不低于所述坩堝口。

優選地，所述坩堝本體包括等徑部以及錐形部，所述坩堝口開設于所述等徑部的上部，所述錐形部的大端連接于所述等徑部的端部，所述錐形部的小端連接于所述管嘴。

優選地，所述錐形部的錐角為90°。

優選地，所述管嘴遠離所述坩堝本體的一端的開口與所述等徑部的上部齊平。

優選地，所述等徑部遠離所述錐形部的一端連接有凸球面部。

優選地，所述坩堝口的形狀為長方形，且所述坩堝口的長度不超過所述等徑部的長度，所述坩堝口的寬度小于所述等徑部的直徑。

優選地，所述坩堝口的四個角均為圓滑狀過渡折角。

優選地，所述坩堝本體的壁厚為2mm-4mm。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種多晶用石英坩堝，包括坩堝本體，坩堝本體頂部設置有坩堝口，坩堝本體的側端上連接有管嘴，管嘴與坩堝本體的內腔連通，且管嘴遠離坩堝本體的一端的開口的位置不低于坩堝口，以避免半導體多晶液體從管嘴溢出；在半導體多晶合成過程中，與坩堝本體內腔連通的管嘴有助于半導體溶液內部的氣體排出，同時也使液體加快凝固，消除多晶體表面的氣孔和坑洼，提高多晶體表面質量。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的多晶用石英坩堝的縱剖圖；

圖2為本實用新型實施例提供的多晶用石英坩堝的俯視圖。

圖中：

1為管嘴；2為錐形部；3為等徑部；4為凸球面部；5為坩堝口。

具體實施方式

本實用新型的目的在于提供一種多晶用石英坩堝，該多晶用石英坩堝的結構設計使其能夠消除多晶體表面的氣孔和坑洼。