[實用新型]太陽能電池電極制備或接觸不良的修復設備有效
| 申請號: | 201920973967.6 | 申請日: | 2019-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN210092114U | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 李志剛;黃海平;朱凡;陸紅艷;張松;朱俊 | 申請(專利權)人: | 帝爾激光科技(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王丹 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電極 制備 接觸 不良 修復 設備 | ||
本實用新型提供一種太陽能電池電極制備或接觸不良的修復設備,包括激光加工模組、加工平臺模組和溫度控制模組;其中,太陽能電池片設置在所述的加工平臺模組上;激光加工模組輸出的激光照射在位于加工平臺模組上的太陽能電池片的待制備或待修復面上;溫度控制模組用于控制位于加工平臺模組上的太陽能電池片的溫度。本實用新型采用激光加工的方式,只對太陽能電池片的正面區域進行熱處理,可以明顯改善太陽能電池正面金屬漿料和硅表面的接觸性能,改善接觸電阻,降低晶硅太陽能電池的串聯電阻,提高FF,提高轉換效率,同時保證背面鋁漿的形態和性能。
技術領域
本實用新型屬于光伏技術領域,具體涉及一種太陽能電池電極制備或接觸不良的修復設備。
背景技術
隨著清潔能源的市場需求的逐步旺盛,光伏行業得到長足的發展。晶硅太陽能電池作為光伏行業的生力軍,近幾年技術發展突飛猛進。
晶硅太陽能電池金屬導電電極一般采用金屬漿料,經過鏈式快速燒結形成歐姆接觸,正面銀漿燒結的峰值溫度一般控制在750-820度之間,燒結時間很短,一般在5-10s。迫于成本的壓力,太陽能電池產線產能要求不斷提高,進而燒結時間進一步減少的趨勢。隨著轉換效率的進一步提高,擴散方塊電阻逐步提高,硅片表面擴散濃度逐步提高,和金屬漿料的接觸性能需要匹配很好的燒結條件。特別是鈍化發射極電池,背面采用氧化鋁和氮化硅作為鈍化層,減少電池背表面復合速率,改善鈍化效果。為減少高溫燒結對鈍化效果的破壞,需要燒結溫度低,時間短,和晶硅太陽能電池正面需要高溫長時間燒結形成矛盾。
因此,在實際生產中,太陽能電池電極制備時常有燒結不良的現象產生。而采用現有技術的二次熱處理的方法進行改善時,因為雙面受熱,當溫度超過鋁硅合金溫度577度時,背面鋁漿的形態再次發生改變,易出現鋁珠、鋁苞現象,致密性變差,不能滿足太陽能電池可靠性要求。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:提供一種太陽能電池電極制備或接觸不良的修復設備,能夠保證背面鋁漿的形態和性能。
本實用新型為解決上述技術問題所采取的技術方案為:一種太陽能電池電極制備或接觸不良的修復設備,其特征在于:它包括激光加工模組、加工平臺模組和溫度控制模組;其中,太陽能電池片設置在所述的加工平臺模組上;激光加工模組輸出的激光照射在位于加工平臺模組上的太陽能電池片的待制備或待修復面上;溫度控制模組用于控制位于加工平臺模組上的太陽能電池片的溫度。
按上述方案,所述的激光加工模組包括按照激光的出射順序依次設置的激光器、激光整形裝置和聚焦裝置,還包括用于給激光整形裝置和聚焦裝置冷卻處理的冷卻模塊。
按上述方案,所述的溫度控制模組包括加熱模組和冷卻模組;其中,加熱模組設置在所述的加工平臺模組的下方,冷卻模組設置在加工平臺模組的斜上方。
按上述方案,本設備還設有移動模組,與所述的激光加工模組和加工平臺模組中的至少1個連接,以實現激光對太陽能電池片的待制備或待修復面的掃描。
按上述方案,所述的激光平臺模組包括預熱工位、加工工位和冷卻工位,通過驅動裝置帶動電池片依次經過上述工位;其中所述的加熱模組設置在預熱工位的下方,激光加工模組設置在加工過工位的上方,冷卻模組設置在冷卻工位的斜上方。
按上述方案,所述的加工平臺模組還包括上料工位和下料工位,上料工位和下料工位分別與上料機構和下料機構對應。
按上述方案,所述的加工平臺模組和溫度控制模組由帶負壓吸附以及預熱和冷卻一體的吸盤構成。
按上述方案,所述的加工平臺模組為帶式傳送模組,帶式傳送模組包括傳送帶及驅動機構;所述的溫度控制模組包括加熱模組和冷卻模組;加熱模組、激光加工模組和冷卻模組依次沿傳送方向設置,其中加熱模組設置在傳送帶的上方和/或下方,激光加工模組設置在傳送帶的上方,冷卻模組設置在傳送帶的斜上方、上方或下方。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





