[實(shí)用新型]太陽能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920973838.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209747534U | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東泰高科裝備科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0725 | 分類號(hào): | H01L31/0725;H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸<國際申請(qǐng)>=<國際公布> |
| 地址: | 102200 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 量子點(diǎn)層 太陽能電池 第二電極 第一電極 背離 電池 電池制備工藝 光電轉(zhuǎn)換效率 本實(shí)用新型 空間環(huán)境 制備 成熟 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括Si襯底(1),n型摻雜InP量子點(diǎn)層(2)、p型摻雜InP量子點(diǎn)層(3)、第一電極(4)和第二電極(5),所述n型摻雜InP量子點(diǎn)層(2)和所述p型摻雜InP量子點(diǎn)層(3)分別設(shè)置在所述Si襯底(1)的兩側(cè),所述第一電極(4)設(shè)置在所述n型摻雜InP量子點(diǎn)層(2)的背離所述Si襯底(1)的一側(cè),所述第二電極(5)設(shè)置在所述p型摻雜InP量子點(diǎn)層(3)的背離所述Si襯底(1)的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述Si襯底(1)包括相互疊置的p型摻雜Si層(11)和n型摻雜Si層(12),所述p型摻雜InP量子點(diǎn)層(3)位于所述p型摻雜Si層(11)一側(cè),所述n型摻雜InP量子點(diǎn)層(2)位于所述n型摻雜Si層(12)一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二電極(5)采用透明導(dǎo)電氧化物材料,所述第一電極(4)采用鋁材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述n型摻雜InP量子點(diǎn)層(2)的厚度范圍為60-100nm,所述p型摻雜InP量子點(diǎn)層(3)的厚度范圍為100-1000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,所述p型摻雜Si層(11)的厚度范圍為100-120um,所述n型摻雜Si層(12)的厚度范圍為40-60um。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二電極(5)的厚度范圍為100-500nm,所述第一電極(4)的厚度范圍為500-1000nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東泰高科裝備科技有限公司,未經(jīng)東泰高科裝備科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920973838.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:光伏組件
- 下一篇:一種單面制絨黑硅分片機(jī)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 一種廣色域的量子點(diǎn)膜及其制備方法
- 具有多層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)光學(xué)膜、其制備方法和用途
- 多層量子點(diǎn)膠層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)膜及其加工工藝
- 低鎘含量的量子點(diǎn)膜及其制備方法和應(yīng)用
- 量子點(diǎn)層的圖案化方法、量子點(diǎn)器件及其制備方法
- 圖案化量子點(diǎn)膜及安裝其的液晶顯示器
- 一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法
- 量子點(diǎn)發(fā)光裝置
- 量子點(diǎn)彩膜基板、量子點(diǎn)液晶顯示面板和量子點(diǎn)顯示裝置
- QLED器件、QLED器件的制備方法及顯示裝置





