[實(shí)用新型]一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920971973.8
• 申請(qǐng)日: 2019-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209805668U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝俊峰;梁煒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京偉仕天成科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/32
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/32
• 代理公司: 11508 北京維正專(zhuān)利代理有限公司
• 代理人: 劉乾幫

本實(shí)用新型涉及一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路，包括兩路吸收電路和控制吸收電路，其中一路吸收電路在吸收MOS關(guān)斷尖峰時(shí)會(huì)分流至控制吸收電路對(duì)關(guān)斷尖峰進(jìn)行分流吸收，同時(shí)觸發(fā)另一路吸收電路吸收MOS管關(guān)斷尖峰，在MOS管導(dǎo)通時(shí)兩個(gè)吸收電路均會(huì)對(duì)MOS管進(jìn)行能量反饋，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管的關(guān)斷尖峰進(jìn)行多路、多級(jí)吸收，控制吸收電路也能夠?qū)﹃P(guān)斷尖峰進(jìn)行分流吸收，從而使MOS管的關(guān)斷尖峰得到極大的抑制，同時(shí)在MOS管導(dǎo)通時(shí)兩個(gè)吸收單元能夠?qū)OS管進(jìn)行多路能量反饋，從而保持MOS管穩(wěn)定工作。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路。

背景技術(shù)

開(kāi)關(guān)模式電源，又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，使電源供應(yīng)器的一種。

在開(kāi)關(guān)電源中常常會(huì)用到MOS管，通過(guò)MOS管的導(dǎo)通關(guān)斷特性實(shí)現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換，在電壓轉(zhuǎn)換的的過(guò)程中MOS管也會(huì)工作在高頻的導(dǎo)通和關(guān)斷的過(guò)程中，由于MOS管關(guān)斷瞬間會(huì)產(chǎn)生關(guān)斷尖峰，這個(gè)關(guān)斷尖峰會(huì)影響MOS管本身和其所在電路的其他部分的正常工作。

現(xiàn)有的抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路大多結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，無(wú)法有效的吸收MOS管的關(guān)斷尖峰，也不能有效的進(jìn)行能量反饋。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路，其優(yōu)點(diǎn)在于能夠有效的抑制MOS管的關(guān)斷尖峰和對(duì)MOS管進(jìn)行能量反饋。

本實(shí)用新型的上述實(shí)用新型目的是通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：

一種抑制MOS管關(guān)斷尖峰的電路，包括：

第一吸收單元，耦接所述MOS管且響應(yīng)于MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷輸出不同的觸發(fā)信號(hào)，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)吸收關(guān)斷尖峰，當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)對(duì)MOS管進(jìn)行能量反饋；

控制吸收電路，耦接所述第一吸收單元和所述MOS管且響應(yīng)于所述觸發(fā)信號(hào)并輸出第二控制信號(hào)，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)吸收關(guān)斷尖峰；

第二吸收單元，耦接所述MOS管和所述控制吸收電路，響應(yīng)于所述第二控制信號(hào)，當(dāng)?shù)谝晃諉卧贞P(guān)斷尖峰時(shí)第二吸收單元延時(shí)吸收關(guān)斷尖峰，當(dāng)?shù)谝晃諉卧獙?duì)MOS管進(jìn)行能量反饋時(shí)第二吸收單元對(duì)MOS管也進(jìn)行能量反饋。

通過(guò)采用上述技術(shù)方案，由于第二吸收電路的吸收條件是受第一開(kāi)關(guān)單元輸出的觸發(fā)信號(hào)控制的，故第一吸收單元和第二吸收單元的吸收作用會(huì)有先后區(qū)別，通過(guò)兩個(gè)吸收單元對(duì)MOS管的關(guān)斷尖峰進(jìn)行多路、多級(jí)吸收，控制吸收電路也能夠?qū)﹃P(guān)斷尖峰進(jìn)行分流吸收，從而使MOS管的關(guān)斷尖峰得到極大的抑制，同時(shí)在MOS管導(dǎo)通時(shí)兩個(gè)吸收單元能夠?qū)OS管進(jìn)行多路能量反饋，從而保持MOS管穩(wěn)定工作。

作為本實(shí)用新型的改進(jìn)，所述第一吸收單元包括串接于所述MOS管的源極和漏極之間的第一吸收電容和第一固定電阻，第一吸收電容和第一固定電阻耦接的節(jié)點(diǎn)輸出所述觸發(fā)信號(hào)。

作為本實(shí)用新型的改進(jìn)，所述控制吸收電路包括：

開(kāi)關(guān)控制電路，耦接所述第一吸收單元和所述MOS管且響應(yīng)于所述觸發(fā)信號(hào)并輸出第一控制信號(hào)，同時(shí)對(duì)MOS管的關(guān)斷尖峰進(jìn)行分流；

RCD吸收電路，耦接所述開(kāi)關(guān)控制電路和所述MOS管且響應(yīng)于所述第一控制信號(hào)并輸出所述第二控制信號(hào)，同時(shí)吸收部分第一控制信號(hào)。

作為本實(shí)用新型的改進(jìn)，所述開(kāi)關(guān)控制電路包括：

第一開(kāi)關(guān)單元，耦接所述第一吸收單元和所述MOS管且響應(yīng)于所述觸發(fā)信號(hào)并輸出開(kāi)關(guān)信號(hào)；

第二開(kāi)關(guān)單元，耦接所述第一開(kāi)關(guān)單元且響應(yīng)于所述開(kāi)關(guān)信號(hào)并輸出所述第一控制信號(hào)。