[實用新型]一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器有效
| 申請號： | 201920971159.6 | 申請日： | 2019-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN210272426U | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 沈棕杰;趙春;趙策洲;楊莉;羅天;張藝;黃彥博 | 申請（專利權）人： | 西交利物浦大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;吳音 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 金屬 氧化物 阻變式 隨機存取存儲器 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器，其特征在于：包括由上至下設置的頂電極層，阻變氧化層和基底；
所述頂電極層包括若干個設置在阻變氧化層上的頂電極，所述頂電極在遠離阻變氧化層的表面設有保護層；所述阻變氧化層為摻雜金屬氧化層；所述基底包括層疊設置的上層的底電極層和下層的絕緣層；所述阻變氧化層為摻雜氧化鎵粉末的氧化銦層。
2.根據權利要求1所述的一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器，其特征在于：所述保護層為金屬鋁薄膜層或金屬鎢薄膜層中的任意一種。
3.根據權利要求1所述的一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器，其特征在于：所述頂電極為圓柱形金屬鎳薄膜層或氮化鈦薄膜層，厚度為20~60nm。
4.根據權利要求1所述的一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器，其特征在于：所述底電極層為金屬鉑薄膜層或氧化銦錫薄膜層，厚度為50 ~ 150nm。
5.根據權利要求1所述的一種摻雜金屬氧化物的阻變式隨機存取存儲器，其特征在于：所述絕緣層采用層疊設置的三層結構，包括由上至下設置的鈦薄膜層、二氧化硅薄膜層、硅薄膜層疊層或透明玻璃層疊層。
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