[實(shí)用新型]一種量子芯片測(cè)試系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920957927.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210323273U | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙勇杰;孔偉成;楊夏;朱美珍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥本源量子計(jì)算科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230008 安徽省合肥*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 量子 芯片 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
1.一種量子芯片測(cè)試系統(tǒng),所述量子芯片測(cè)試系統(tǒng)包括:
中空?qǐng)A柱磁體,所述中空?qǐng)A柱磁體的一端設(shè)置有制冷圓盤;
其特征在于:所述量子芯片測(cè)試系統(tǒng)還包括:
屏蔽筒(1),所述屏蔽筒(1)嵌套在所述中空?qǐng)A柱磁體內(nèi)部,且所述屏蔽筒(1)的開口朝向所述制冷圓盤設(shè)置;
支撐連接板件(2),所述支撐連接板件(2)的一端固定連接所述制冷圓盤的中心,所述支撐連接板件(2)的另一端伸入所述屏蔽筒(1)內(nèi),所述支撐連接板件(2)的遠(yuǎn)離所述制冷圓盤的一端設(shè)置有支撐面(23);
封裝盒體(3),所述封裝盒體(3)固定設(shè)置在所述支撐面(23)上,所述封裝盒體(3)內(nèi)部封裝有量子芯片,且所述量子芯片平行所述支撐面(23)設(shè)置;
所述封裝盒體(3)遠(yuǎn)離所述支撐面(23)的一側(cè)嵌裝有多個(gè)第一連接器(4),各所述第一連接器(4)沿所述支撐連接板件(2)的長(zhǎng)度方向交錯(cuò)設(shè)置,且各所述第一連接器(4)的一端伸入所述封裝盒體(3)內(nèi)連接所述量子芯片,各所述第一連接器(4)的另一端連接第一信號(hào)傳輸線,所述第一信號(hào)傳輸線沿所述支撐連接板件(2)的長(zhǎng)度方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述支撐連接板件(2)固定連接所述制冷圓盤的一端有至少兩條平行設(shè)置的加強(qiáng)筋(21),各所述加強(qiáng)筋(21)沿所述支撐連接板件(2)的長(zhǎng)度方向延伸,且相鄰兩所述加強(qiáng)筋(21)之間形成一信號(hào)槽(22)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述封裝盒體(3)沿所述支撐連接板件(2)長(zhǎng)度方向的兩相對(duì)側(cè)均固定設(shè)置有法蘭盤(31);
所述支撐面(23)上有兩排平行設(shè)置的固定孔(231),各排所述固定孔(231)與所述法蘭盤(31)對(duì)應(yīng)設(shè)置并固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:兩排所述固定孔(231)之間的所述支撐面(23)上設(shè)置有貫穿所述支撐連接板件(2)的第一避讓孔(232),所述封裝盒體(3)的底部嵌裝在所述第一避讓孔(232)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述中空?qǐng)A柱磁體的平行所述支撐面(23)的軸向切面為第一切面;
所述量子芯片平行所述第一切面設(shè)置,且位于所述第一切面上或者所述第一切面的附近±5mm范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述屏蔽筒(1)和所述中空?qǐng)A柱磁體間隙配合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述封裝盒體(3)的第一側(cè)上嵌裝有一個(gè)第二連接器(5);
其中:所述第一側(cè)為所述封裝盒體(3)的垂直所述支撐面(23)、垂直所述支撐連接板件(2)長(zhǎng)度方向、且靠近所述制冷圓盤的一側(cè);
所述第二連接器(5)的一端伸入所述封裝盒體(3)內(nèi)連接所述量子芯片,所述第二連接器(5)的另一端連接第二信號(hào)傳輸線,所述第二信號(hào)傳輸線沿所述支撐連接板件(2)的長(zhǎng)度方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述中空?qǐng)A柱磁體和所述制冷圓盤之間還設(shè)置有第一過濾組件(6);
所述第一信號(hào)傳輸線和第二信號(hào)傳輸線均接入所述第一過濾組件(6)的輸入端,所述第一過濾組件(6)的輸出端連接量子芯片測(cè)試機(jī)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子芯片測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述第一過濾組件(6)包括散熱支撐架(61)和第一過濾器組件(62);
所述散熱支撐架(61)垂直設(shè)置在所述制冷圓盤上,并朝向所述中空?qǐng)A柱磁體延伸;
所述第一過濾器組件(62)設(shè)置在所述散熱支撐架(61)上。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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