[實用新型]一種雙管芯器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920954924.3
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN209843711U
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張雨;陳虞平;胡興正;劉海波
• 申請（專利權(quán)）人: 南京華瑞微集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06
• 代理公司: 32368 南京瑞華騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 梁金娟

1.一種雙管芯器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底和外延層，所述外延層的兩側(cè)刻蝕形成若干間隔設(shè)置的第一溝槽和第二溝槽，所述外延層上側(cè)、第一溝槽和第二溝槽內(nèi)側(cè)長有柵氧化層，所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)的柵氧化層外側(cè)沉積有多晶硅，所述第一溝槽和第二溝槽兩側(cè)以及第一溝槽與第二溝槽之間的外延層內(nèi)分別形成有第二導(dǎo)電類型輕摻雜的第一體區(qū)、第二體區(qū)和第三體區(qū)，所述第一體區(qū)和第二體區(qū)的下端面分別設(shè)置在第一溝槽和第二溝槽的下端面的上側(cè)，其特征在于，所述第一體區(qū)、第二體區(qū)和第三體區(qū)內(nèi)分別形成第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的第一源區(qū)、第二源區(qū)和終端區(qū)，所述柵氧化層和多晶硅的上側(cè)長介質(zhì)層，刻蝕掉部分第一體區(qū)、第二體區(qū)、第三體區(qū)及其上側(cè)的柵氧化層和介質(zhì)層，以形成連接孔，所述連接孔下側(cè)的第一體區(qū)、第二體區(qū)和第三體區(qū)內(nèi)形成有第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s的接觸區(qū)，所述介質(zhì)層上側(cè)形成有第一源極金屬、第二源極金屬和與終端金屬，所述第一源極金屬、第二源極金屬和終端金屬分別通過連接孔與第一體區(qū)、第二體區(qū)和第三體區(qū)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管芯器件，其特征在于，所述接觸區(qū)呈月牙狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙管芯器件，其特征在于，所述連接孔包括在介質(zhì)層和柵氧化層刻蝕出的第一連接孔和在第一連接孔下側(cè)刻蝕出的第二連接孔，所述第二連接孔的豎截面橢圓形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管芯器件，其特征在于，所述第一溝槽和第二溝槽的深度為0.5至2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管芯器件，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙管芯器件，其特征在于，所述第一體區(qū)、第二體區(qū)和第三體區(qū)由硼元素注入形成，注入能量為：30-90Kev，注入計量：5E12-3E13。