[實(shí)用新型]基于硅納米線陣列的微富集器芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920951256.9
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN210825412U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮飛;趙斌
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

1.基于硅納米線陣列的微富集器芯片，其特征在于，所述基于硅納米線陣列的微富集器芯片包括：

襯底，且所述襯底中形成有凹槽結(jié)構(gòu)；

若干個(gè)微柱結(jié)構(gòu)，形成于所述襯底上并位于所述凹槽結(jié)構(gòu)中，所述微柱結(jié)構(gòu)包括依次連接的第一延伸部、連接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述連接部及所述第二延伸部圍成一具有開口的空間區(qū)域，且相鄰所述微柱結(jié)構(gòu)基于所述開口嵌套設(shè)置；

至少兩個(gè)微流控端口，形成于所述襯底中，并與所述凹槽結(jié)構(gòu)相連通；蓋板，形成于所述襯底形成有所述凹槽結(jié)構(gòu)的一側(cè)，并至少覆蓋所述凹槽結(jié)構(gòu)；以及

硅納米線陣列，所述硅納米線陣列至少位于所述微柱結(jié)構(gòu)的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線陣列的微富集器芯片，其特征在于，所述基于硅納米線陣列的微富集器芯片還包括加熱電阻及測溫電阻，其中，所述加熱電阻及所述測溫電阻位于所述蓋板遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)以及所述襯底遠(yuǎn)離所述蓋板的一側(cè)中的至少一者上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線陣列的微富集器芯片，其特征在于，所述凹槽結(jié)構(gòu)的形狀包括橢圓形，及，中間呈方形且兩端呈弧形的結(jié)構(gòu)中的任意一種；所述微柱結(jié)構(gòu)的形狀包括U型、V型中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線陣列的微富集器芯片，其特征在于，所述微柱結(jié)構(gòu)的形狀包括U型，所述U型的開口構(gòu)成所述空間區(qū)域的所述開口，且相鄰所述微柱結(jié)構(gòu)的所述開口相對設(shè)置，并通過相鄰的所述微柱結(jié)構(gòu)的所述第一延伸部與所述第二延伸部的穿插設(shè)置實(shí)現(xiàn)所述微柱結(jié)構(gòu)的所述嵌套設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硅納米線陣列的微富集器芯片，其特征在于，所述第一延伸部及所述第二延伸部構(gòu)成U型的所述微柱結(jié)構(gòu)的兩側(cè)部，所述連接部構(gòu)成U型的所述微柱結(jié)構(gòu)的底部，其中，所述側(cè)部的形狀包括長方形，所述底部的形狀包括半圓弧形，其中，所述半圓弧形的外徑介于35μm-560μm之間，所述半圓弧形的內(nèi)徑介于25μm-400μm之間；所述長方形的寬介于5μm-80μm之間，所述長方形的長介于80μm-480μm之間；相鄰所述微柱結(jié)構(gòu)之間的間距介于5μm-80μm之間。