[實用新型]一種降低正向壓降的肖特基二極管

有效

• 申請號: 201920949818.6
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN210467847U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 張瑜潔;劉剛;宋安英
• 申請（專利權）人: 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

1.一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：包括

一第一導電類型碳化硅襯底；

一第一導電類型碳化硅漂移層一，位于所述第一導電類型碳化硅襯底的正面；

一第一導電類型碳化硅漂移層二，位于所述第一導電類型碳化硅漂移層一上；

至少一個第二導電類型的有源注入區，所述第二導電類型的有源注入區設于所述第一導電類型碳化硅漂移層一以及第一導電類型碳化硅漂移層二上；

一第二導電類型JTE注入區，設于所述第一導電類型碳化硅漂移層一以及第一導電類型碳化硅漂移層二上；

一場氧層，位于所述第一導電類型碳化硅漂移層二上，所述場氧層覆蓋所述第二導電類型JTE注入區，所述場氧層的寬度小于所述第一導電類型碳化硅漂移層一的寬度，且所述場氧層的寬度大于所述第二導電類型JTE注入區的寬度；

一正面接觸金屬，所述正面接觸金屬設于所述第一導電類型碳化硅漂移層二的正面，且所述正面接觸金屬一側面連接至所述場氧層一側面，且所述正面接觸金屬的寬度等于所述第一導電類型碳化硅漂移層一的寬度減去所述場氧層的寬度；以及，

一背面接觸金屬，位于所述第一導電類型碳化硅襯底的背面。

2.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述的第一導電類型碳化硅漂移層二，厚度0.01～0.5um之間。

3.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述第二導電類型的有源注入區的注入寬度為0.1～10微米，注入深度為0.1～5微米，且需大于所述第一導電類型碳化硅漂移層二的厚度。

4.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述第二導電類型JTE注入區的摻雜濃度低于第二導電類型的有源注入區的摻雜濃度，所述第二導電類型JTE注入區的注入深度為0.1～5微米。

5.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述的場氧層厚度為0.1～5微米。

6.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述的正面接觸金屬的接觸包含有歐姆接觸及肖特基接觸，所述正面接觸金屬為Ti、Ni、Al、Ag、Pt、Au、Mo、Wu、或氧化物類金屬。

7.如權利要求1所述的一種降低正向壓降的肖特基二極管，其特征在于：所述的背面接觸金屬的接觸為歐姆接觸，所述背面接觸金屬為Ti、Ni、Al、Ag、Pt、Au、Mo、Wu、或氧化物類金屬。