[實用新型]一種用于射頻功率放大器的偏置電路及射頻功率放大器有效
| 申請號: | 201920947441.0 | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN210168014U | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 藍煥青;曾凡杰;張志浩;章國豪 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 陳麗 |
| 地址: | 510060 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 射頻 功率放大器 偏置 電路 | ||
1.一種用于射頻功率放大器的偏置電路,包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第一HBT、第二HBT、第三HBT和電感;其中,所述第一電阻的第一端與VCC連接,所述第一電阻的第二端與第一HBT的集電極相連,所述第一HBT的發射極分別與第二電阻的第一端和第三電阻的第一端相連,所述第一HBT的基極分別與所述第一電容的正極和所述第四電阻的第一端相連,所述第一電容的負極接地,所述第四電阻的第二端連接Vref,所述第四電阻的第一端還與第二HBT的集電極相連,所述第二HBT的發射極接地,所述第二HBT的基極與所述第三電阻的第二端相連,所述第二電阻的第二端分別與所述第二電容的第一端和所述第三HBT的基極相連,所述第二電容的第二端為射頻電路的輸入端,所述第三HBT的發射極接地,所述第三HBT的集電極分別與第三電容的第一端和所述電感相連,所述第三電容的第二端為所述射頻電路的輸出端;其特征在于,還包括:帶有增益的反饋環路,并且,所述反饋環路對溫度不敏感;其中,所述反饋環路串聯在所述第四電阻和所述第一電容所在的支路上。
2.根據權利要求1所述的一種用于射頻功率放大器的偏置電路,其特征在于,所述反饋環路具體包括:
第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第四HBT、第五HBT;
其中,所述第五電阻的第一端和第六電阻的第一端分別與Vref相連,所述第五電阻的第二端與所述第四HBT的集電極相連,所述第四HBT的發射極與第七電阻的第一端相連,所述第六電阻的第二端與所述第五HBT的集電極相連,所述第五HBT的發射極與所述第八電阻的第一端相連,所述第八電阻的第二端分別與所述第七電阻的第二端和所述第九電阻的第一端相連,所述第九電阻的第二端接地,所述第四HBT的基極分別與第十電阻的第一端和第十一電阻的第一端相連,所述第十電阻的第二端與Vref相連,所述第十一電阻的第二端接地;并且,所述第四HBT的基極和所述第五HBT的基極分別為第一信號輸入端和第二信號輸入端,所述第五電阻的第二端為信號輸出端。
3.根據權利要求2所述的一種用于射頻功率放大器的偏置電路,其特征在于,所述第五電阻和第六電阻的阻值相等,所述第七電阻和所述第八電阻的阻值相等,所述第四HBT和所述第五HBT的規格參數相同。
4.一種射頻功率放大器,其特征在于,包括如權利要求1至3任一項所述的用于射頻功率放大器的偏置電路。
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