[實用新型]一種應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構

有效

• 申請號: 201920933694.2
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN210167800U
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 郭虎;王照新;李建偉;蔡彩銀
• 申請（專利權）人: 浙江德芯空間信息技術有限公司
• 主分類號: H02H5/04
• 分類號: H02H5/04;G01K7/16
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 孫艾明

1.一種應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，芯片過溫保護結構，包括：

芯片；

溫度檢測組件，安裝于所述芯片表面的溫度檢測部件，用于檢測所述芯片的工作溫度；

三極管特性過溫保護電路，設置在所述芯片的一側，用于測控所述芯片的過溫保護；

比較器，設置在所述芯片與所述三極管特性過溫保護電路之間，并與所述芯片與所述三極管特性過溫保護電路連接，所述比較器包括正輸入端，負輸入端，輸出端。

2.如權利要求1所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述溫度檢測組件包括通過絕緣膠固定安裝于所述芯片表面的溫感電阻，其在不同溫度下呈現不同的阻值；

與所述溫感電阻相連的傳感器，用于檢測所述溫感電阻的阻值，據此確定所述芯片的工作溫度，并將所確定的工作溫度值傳輸給所述三極管特性過溫保護電路。

3.如權利要求2所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述傳感器底部固定有絕熱膜，所述傳感器和所述絕熱膜通過絕緣膠粘貼于所述芯片表面。

4.如權利要求1所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述三極管特性過溫保護電路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、電容C1、電容C2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一NPN晶體管Q1、第二NPN晶體管Q2、電阻R1、電阻R2、電阻R3和輸出整形電路。

5.如權利要求4所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述第一PMOS管MP1的漏極與所述第二PMOS管MP2的源極連接，所述第一PMOS管MP1的柵極與所述第二PMOS管MP2的柵極相連，并與所述第二PMOS管MP2的漏極連接，所述第二PMOS管MP2的柵極與第二PMOS管MP2的漏極相連接，所述電容C2的正極與所述第二PMOS管MP2的柵極連接，所述電容C2的負極分別與第一NMOS管MN1的柵極、第二NMOS管MN2的柵極，第一NPN晶體管Q1的基極和第二NPN晶體管Q2的基極連接，且第一NMOS管MN1的柵極、第二NMOS管MN2的柵極相互連接，所述第一NPN晶體管Q1的基極和第二NPN晶體管Q2的基極連接，所述電容C1與電容C2相互并聯，所述第二PMOS管MP2的漏極與所述第一NMOS管MN1的源極連接，所述第一NMOS管MN1的漏極與電阻R1的一端連接，所述第二NMOS管MN2的源極分別與第二NMOS管MN2的柵極相連接，所述第二NPN晶體管Q2的集電極與第二NPN晶體管Q2基極、第二NMOS管MN2的漏極相連，所述第一PMOS管MP1的柵極、所述第二PMOS管MP2的柵極和所述第二NMOS管MN2的源極均與所述輸出整形電路的一端連接，所述輸出整形電路的另一端分別與相互串聯的電阻R2、電阻R3以及芯片和比較器相連，所述第一PMOS管MP1的源極與電源電壓VCC相連，所述電阻R1、電阻R3的另一端以及第二NPN晶體管Q2發射極均接地電位。

6.如權利要求4或5所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述比較器為遲滯比較器，輸出端輸出過溫保護信號，所述第一NPN晶體管Q1、第二NPN晶體管Q2為控制開關管，其導通壓降V_BE具有負溫度系數。

7.如權利要求5所述的應用三極管溫度特性來進行芯片過溫保護的結構，其特征在于，所述輸出整形電路包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，所述第三PMOS管MP3的柵極分別與所述第一PMOS管MP1的柵極和第一PMOS管MP2的漏極連接，并與所述第五PMOS管MP5柵極連接，所述第一PMOS管MP4的柵極分別與所述第一PMOS管MP4的柵極和第一PMOS管MP2的漏極連接，并與所述第一PMOS管MP4柵極連接，所述第三PMOS管MP3的漏極與第四PMOS管MP4的源極連接，所述第四PMOS管MP4的漏極分別與所述第二NMOS管MN2的源極和柵極連接，所述第五PMOS管MP5的漏極與第六PMOS管MP6的源極連接，所述第六PMOS管MP6的漏極連接分別與比較器的負輸入端、電阻R2的一端連接，所述第五PMOS管MP5的源極與芯片連接。