[實用新型]一種垂直外腔面發射半導體激光器

有效

• 申請號: 201920933294.1
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN210040876U
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 李林;曾麗娜;李再金;喬忠良;趙志斌;曲軼;彭鴻雁
• 申請（專利權）人: 海南師范大學
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/323
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于一種垂直外腔面發射半導體激光器由熱沉(1)，藍寶石襯底(2)，緩沖層(3)，同質結DBR層(4)，勢壘層(5)，有源區(6)，隧道結層(7)，電流注入層(8)，窗口層(9)及DBR外腔鏡(10)組成。

2.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于引入電流注入層和DBR外腔鏡來實現電注入外腔面發射半導體激光器。

3.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于外延生長同質結DBR來實現高反射率的外腔鏡，無需外腔鏡面鍍膜工藝，從而能夠保證獲得高質量的外腔鏡材料。

4.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于在襯底上由下至上依次包括：藍寶石襯底(2)，該襯底用于在其上外延生長各層材料；緩沖層(3)，為GaN材料，該緩沖層制作在襯底上，用于阻止襯底中缺陷的轉移；同質結DBR層(4)，為外延生長不同摻雜濃度的n型n-GaN/n⁺-GaN DBR同質結材料；勢壘層(5)，為GaN材料，制作在同質結DBR層上；有源區(6)，為多量子阱，該層制作在勢壘層上；隧道結(7)，該層制作在多量子阱層上，電流注入層(8)，該層制作在隧道結上，窗口層(9)，為GaN材料，制作在電流注入層上。

5.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的DBR外腔鏡(10)由藍寶石襯底，緩沖層，同質結DBR層組成。

6.根據權利要求1所述的一種垂直外腔面發射半導體激光器，其特征在于所述的DBR外腔鏡(10)在襯底上由下至上依次包括：藍寶石襯底(21)，該襯底用于在其上外延生長各層材料；緩沖層(22)，為GaN材料，該緩沖層制作在襯底上，用于阻止襯底中缺陷的轉移；同質結DBR層(23)，為外延生長不同摻雜濃度的n型n-GaN/n⁺-GaN DBR同質結材料；窗口層(24)，為GaN材料，制作在同質結DBR層上。