[實用新型]一種基于二維Ga2S3納米片的可彎曲式場效應光電晶體管

有效

• 申請號: 201920930302.7
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN210607295U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 李國強;鄭昱林;王文樑
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L31/112
• 分類號: H01L31/112;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;隆翔鷹

1.一種基于二維Ga₂S₃納米片的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：自下至上依次包括柔性襯底（1）和二維Ga₂S₃納米片層（2），且所述二維Ga₂S₃納米片層（2）的上方設有源電極（3）、漏電極（5）和柵電極（4），柵電極（4）設置在源電極（3）和漏電極（5）之間。

2.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述柔性襯底（1）的厚度為250~300 nm。

3.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述柔性襯底（1）選自PET、PDMS或ITO。

4.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述二維Ga₂S₃納米片層（2）的厚度為5~7 nm，層數為1~3層。

5.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述源電極（3）和漏電極（5）均包括自下而上依次層疊的Ti金屬層和Au金屬層。

6.根據權利要求5所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述Ti金屬層的厚度為20~30 nm，Au金屬層的厚度為60~80 nm。

7.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述源電極（3）和漏電極（5）尺寸相同，且長為80~100 nm，寬為60~80 nm，二者間距為300~360 nm。

8.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述柵電極（4）包括自下而上依次層疊的Ni金屬層和Au金屬層，Ni金屬層的厚度為40~50 nm，Au金屬層的厚度為80~100 nm。

9.根據權利要求1所述的可彎曲式場效應光電晶體管，其特征在于：所述柵電極（4）的長為80~100 nm，寬為60~80 nm。