[實用新型]一種AlInGaN基發光二極管

有效

• 申請號: 201920907952.X
• 申請日: 2019-06-17
• 公開（公告）號: CN209993614U
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 全知覺;劉軍林;張建立;江風益;莫春蘭;鄭暢達;王小蘭
• 申請（專利權）人: 南昌大學;南昌硅基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/24;H01L33/32
• 代理公司: 36100 江西省專利事務所
• 代理人: 張文

1.一種AlInGaN基發光二極管，從下至上依次包括： N型AlInGaN層、具有V坑的AlInGaN超晶格層、n區空穴阻擋層、AlInGaN基有源層、P型AlInGaN層，其特征在于：所述P型AlInGaN層中含有p區空穴阻擋層；所述n區空穴阻擋層僅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格層的V坑側壁，禁帶寬度大于n區空穴阻擋層兩側的半導體層；所述AlInGaN基有源層的表面上具有V坑和連接所述V坑的平面區，所述P型AlInGaN層形成于所述平面區的上面并填充所述V坑，所述p區空穴阻擋層僅位于所述平面區的上面，p區空穴阻擋層的禁帶寬度大于p區空穴阻擋層兩側的半導體層。

2.根據權利要求1所述的AlInGaN基發光二極管，其特征在于：所述n區空穴阻擋層的材質為Al_xGa_1-xN， 0.2≤x≤1，厚度為10-100nm，非故意摻雜。

3.根據權利要求1或2所述的AlInGaN基發光二極管，其特征在于：所述P區空穴阻擋層的材質為Al_yGa_1-yN，0.2≤y≤1，厚度為10-100nm，非故意摻雜。

4.根據權利要求1或2所述的AlInGaN基發光二極管，其特征在于：所述p區空穴阻擋層的下表面至所述AlInGaN基有源層上表面的距離為d，0≤d≤50nm。