[實用新型]一種高亮度的外延結構有效
| 申請號： | 201920900791.1 | 申請日： | 2019-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN210156414U | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 黎國昌;顏君波;朱志超 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 亮度 外延 結構 | ||
1.一種高亮度的外延結構，從下至上依次包括襯底、緩沖層、非摻氮化鎵層、N型層、多量子阱有源層、電子阻擋層、P型層以及P型接觸層，其特征在于，還包括N/P插入層，所述N/P插入層設置在多量子阱有源層和P型層之間，所述N/P插入層的材料為InAlGa、InAl或InGa，且為n/p摻雜。
2.如權利要求1所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層為單層結構或超晶格結構，厚度為1～100nm。
3.如權利要求2所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層的超晶格循環數至少為1個。
4.如權利要求1所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層的n/p摻雜為均勻摻雜、非均勻摻雜或脈沖摻雜。
5.如權利要求4所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層的n/p摻雜為n/p同時摻雜或n/p交替摻雜。
6.如權利要求1所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層設置在多量子阱有源層和電子阻擋層之間、或者設置在電子阻擋層和P型層之間。
7.如權利要求1所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述N/P插入層插入在電子阻擋層內。
8.如權利要求7所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層為AlGaN和AlN。
9.如權利要求1所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述多量子阱有源層包括相互間隔設置的至少一層壘層和至少一層阱層，所述壘層包括第一N-GaN層，設于所述第一N-GaN層上的電流均化層以及設于所述電流均化層上的第二N-GaN層。
10.如權利要求9所述的高亮度的外延結構，其特征在于，所述電流均化層通過在GaN中摻雜高電阻率材料形成，所述電流均化層的電阻率遠大于第一N-GaN層和第二N-GaN層。
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