[實用新型]半導體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920870221.2
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN209766405U
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 權容臺;金熙喆;文承俊;沈智濔
• 申請（專利權）人: NEPES株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H05K1/18
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體封裝，其為使用焊球來電連接半導體芯片和印刷電路板的半導體封裝，上述半導體封裝的特征在于，還包括熱緩沖層，上述熱緩沖層位于上述半導體芯片的上部并將在半導體芯片產生的熱量吸收和分散，上述熱緩沖層通過增加上述半導體芯片和上述印刷電路板之間的間隔來減少熱傳導過程的偏差并具有上述焊球直徑的7.5至50％的厚度。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，

熱緩沖層為與半導體芯片的一面相接的樹脂涂膜或形成在樹脂涂膜上的鈍化層。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于，

上述熱緩沖層的厚度為15至100μm。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體封裝，其特征在于，

上述鈍化層具有多層結構，多層結構的最底層位于樹脂涂膜的整個上部，且安置有上述焊球的金屬層呈階梯狀位于多層結構的最高層的一部分。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝，其特征在于，

上述金屬層包括作為與重新布線層接觸的區(qū)域的臺階低的區(qū)域、位于上述鈍化層的上部的臺階高的區(qū)域及連接上述臺階低的區(qū)域和上述臺階高的區(qū)域的臺階面，

上述焊球的中心部分位于臺階低的區(qū)域，上述焊球的周邊部分位于臺階高的區(qū)域。

6.根據(jù)權利要求3所述的半導體封裝，其特征在于，

上述熱緩沖層的厚度和上述半導體芯片的厚度被調整，使得半導體封裝的整體厚度恒定。

7.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于，

在上述熱緩沖層的上部還包括環(huán)氧模塑料，上述環(huán)氧模塑料支撐上述焊球的側面部。