[實用新型]基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器

有效

• 申請號: 201920869694.0
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN209823724U
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 諶怡;王衛;劉毅;葉茂;張篁;夏連勝;黃子平;龍繼東
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: H03K3/57
• 分類號: H03K3/57
• 代理公司: 51220 成都行之專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 熊曦

1.基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，所述感應電壓疊加器包括：

若干個多級脈沖形成線和相應個數的磁芯感應腔；其中，每個多級層疊Blumlein脈沖形成線的輸出端接有穿過磁芯的導線或感應腔，獨立驅動一個磁芯感應腔；一個多級層疊Blumlein脈沖形成線和一個對應的磁芯感應腔構成一個感應電壓組元；若干個感應電壓組元通過中心疊加桿串接，使每級感應電壓組元的輸出電壓逐級疊加，在由陰陽極構成的二極管負載區形成高梯度電場。

2.根據權利要求1所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，所述多級脈沖形成線由N個單級脈沖形成線層疊而成，N為大于或等于2的整數；

第一級Blumlein脈沖形成線的MOSFET開關M1的輸出地電極與多級層疊Blumlein脈沖形成線的第1層電極在第一級Blumlein脈沖形成線的輸入端連接，M1的輸出高壓電極與多級層疊Blumlein脈沖形成線的第2層電極在第一級Blumlein脈沖形成線的輸入端連接；

第二級Blumlein脈沖形成線的MOSFET開關M2的輸出地電極與多級層疊Blumlein脈沖形成線的第3層電極在第二級Blumlein脈沖形成線的輸入端連接，M2的輸出高壓電極與多級層疊Blumlein脈沖形成線的第4層電極在第二級Blumlein脈沖形成線的輸入端連接；

N個Blumlein脈沖形成線以此類推層疊形成多級層疊Blumlein脈沖形成線；其中，第3層電極壓制有第一級Blumlein脈沖形成線的一個電極和第二級Blumlein脈沖形成線的一個電極；第5層電極壓制有第二級Blumlein脈沖形成線的一個電極和第三級Blumlein脈沖形成線的一個電極；第7層電極壓制有第三級Blumlein脈沖形成線的一個電極和第四級Blumlein脈沖形成線的一個電極，以此類推；

由2N+1層電極構成的N級層疊Blumlein脈沖形成線在輸出端接有負載，負載接于第1層電極與第2N+1層電極的輸出端。

3.根據權利要求2所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，所述單級脈沖形成線包括：

MOSFET驅動電路、MOSFET開關、玻纖板基材、若干層覆銅電極；MOSFET驅動電路和MOSFET開關均焊接在玻纖板基材上表面；MOSFET驅動電路與MOSFET開關連接，用于驅動MOSFET開關；MOSFET開關的地電極與Blumlein脈沖形成線的第1層覆銅電極連接；MOSFET開關的輸出高壓電極與Blumlein脈沖形成線的第2層覆銅電極連接；若干層覆銅電極中的一部分覆銅電極被壓制在玻纖板基材的內部，若干層覆銅電極中的另一部分覆銅電極被印制在玻纖板基材的表面。

4.根據權利要求3所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，覆銅電極的層數為3層。

5.根據權利要求3所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，MOSFET開關的輸出地電極與Blumlein脈沖形成線的第1層覆銅電極在Blumlein脈沖形成線的輸入端處連接；MOSFET開關的輸出高壓電極與Blumlein脈沖形成線的第2層覆銅電極在Blumlein脈沖形成線的輸入端處連接。

6.根據權利要求3所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，玻纖板基材為電極之間的儲能介質。

7.根據權利要求3所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，3層覆銅電極中的中間覆銅電極被壓制在玻纖板基材的內部，3層覆銅電極中的另外兩層覆銅電極被印制在玻纖板基材的表面。

8.根據權利要求2所述的基于玻纖板多級層疊Blumlein脈沖形成線的感應電壓疊加器，其特征在于，所述多級層疊Blumlein脈沖形成線具體為四級層疊Blumlein脈沖形成線。