[實用新型]一種基于P電極條形陣列的深紫外LED芯片有效
| 申請號： | 201920856700.9 | 申請日： | 2019-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN209896093U | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 張會雪;羅紅波;徐盛海;張爽;劉源;戴江南;陳長清 | 申請（專利權）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 42231 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 黃君軍 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新區鳳凰*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 條狀結構 平行設置 復數 藍寶石襯底層 本實用新型 電流擴展 光萃取效率 深紫外LED 側壁出光 電流擁堵 條形陣列 電極線 變窄 沉積 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于P電極條形陣列的深紫外LED芯片，其特征在于，包括藍寶石襯底層、AlN層、N型AlGaN層、N電極層、P型GaN層和P電極層，其中，
所述AlN層、所述N型AlGaN層、所述N電極層、所述P型GaN層和所述P電極層依次沉積于所述藍寶石襯底層表面；
所述P型GaN層包括復數個平行設置的第一條狀結構，所述P電極層包括復數個平行設置的第二條狀結構，所述第二條狀結構設置于所述第一條狀結構遠離所述N電極層一側。
2.根據權利要求1所述的基于P電極條形陣列的深紫外LED芯片，其特征在于，在垂直于所述藍寶石襯底表面的方向上，所述第二條狀結構的投影形貌與所述第一條狀結構的投影形貌相適應；
相鄰所述第一條狀結構之間設置有間隙，且每一所述第一條狀結構上均對應設置有一所述第二條狀結構。
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