[實(shí)用新型]用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)及應(yīng)用其的高溫測(cè)試系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920846595.0
• 申請(qǐng)日: 2019-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN210604404U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘江妮;屈哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江荷清柔性電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/84
• 分類號(hào): G01N21/84
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 林麗璀

本申請(qǐng)的用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)及應(yīng)用其的高溫測(cè)試系統(tǒng)，包括第一采集裝置、第二采集裝置及至少一照明光源，至少一照明光源用于照射高溫測(cè)試物體，第一采集裝置與第二采集裝置用于采集高溫測(cè)試物體的圖像；第一采集裝置與第二采集裝置分別設(shè)置在高溫測(cè)試物體的同一側(cè)的不同方向上，第一采集裝置與第二采集裝置均包括相機(jī)、紫外鏡頭及紫外濾光片，相機(jī)的光譜響應(yīng)范圍包括紫外光，紫外鏡頭設(shè)置在相機(jī)上，紫外濾光片設(shè)置在紫外鏡頭的前方；至少一照明光源的發(fā)射光波長(zhǎng)與紫外濾光片的中心波長(zhǎng)相匹配。本申請(qǐng)能夠提高高溫測(cè)試的觀測(cè)溫度并實(shí)現(xiàn)對(duì)高溫測(cè)試物體的三維信息分析。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)及應(yīng)用其的高溫測(cè)試系統(tǒng)。

背景技術(shù)

對(duì)于一些工業(yè)領(lǐng)域和高溫材料、電弧電極材料的開發(fā)等，使用者或開發(fā)者需對(duì)材料的燒蝕過程進(jìn)行全程觀測(cè)和記錄，從而對(duì)其燒蝕特性進(jìn)行分析。

高溫觀測(cè)一般均采用非接觸式的光學(xué)系統(tǒng)，結(jié)合計(jì)算裝置輔助進(jìn)行觀測(cè)和數(shù)據(jù)分析，但現(xiàn)有的系統(tǒng)光譜響應(yīng)曲線主要集中在可見區(qū)，受限于更高溫度的測(cè)試，且對(duì)于形狀不規(guī)則的測(cè)試物體，無法實(shí)現(xiàn)三維信息分析，導(dǎo)致無法精確評(píng)估材料的燒蝕特性。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)及應(yīng)用其的高溫測(cè)試系統(tǒng)，能夠提高高溫測(cè)試的觀測(cè)溫度并實(shí)現(xiàn)對(duì)高溫測(cè)試物體的三維信息分析。

為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)，包括第一采集裝置、第二采集裝置及至少一照明光源，所述至少一照明光源用于照射高溫測(cè)試物體，所述第一采集裝置與所述第二采集裝置用于采集所述高溫測(cè)試物體的圖像；

所述第一采集裝置與所述第二采集裝置分別設(shè)置在所述高溫測(cè)試物體的同一側(cè)的不同方向上，所述第一采集裝置與所述第二采集裝置均包括相機(jī)、紫外鏡頭及紫外濾光片，所述相機(jī)的光譜響應(yīng)范圍包括紫外光，所述紫外鏡頭設(shè)置在所述相機(jī)上，所述紫外濾光片設(shè)置在所述紫外鏡頭的前方；

所述至少一照明光源的發(fā)射光波長(zhǎng)與所述紫外濾光片的中心波長(zhǎng)相匹配。

其中，所述照明光源的個(gè)數(shù)為一個(gè)，所述第一采集裝置、所述第二采集裝置及所述照明光源位于所述高溫測(cè)試物體的同一側(cè)，所述第一采集裝置與所述第二采集裝置在所述照明光源的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置。

其中，其中，所述照明光源的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，所述第一采集裝置、所述第二采集裝置及兩個(gè)所述照明光源位于所述高溫測(cè)試物體的同一側(cè)，兩個(gè)所述照明光源分別位于所述第一采集裝置與所述第二采集裝置的外側(cè)，或者，兩個(gè)所述照明光源均位于所述第一采集裝置與所述第二采集裝置之間。

其中，所述照明光源的個(gè)數(shù)為三個(gè)，所述第一采集裝置、所述第二采集裝置及三個(gè)所述照明光源位于所述高溫測(cè)試物體的同一側(cè)，其中兩個(gè)所述照明光源分別位于所述第一采集裝置與所述第二采集裝置的外側(cè)，另一個(gè)所述照明光源設(shè)置位于所述第一采集裝置與所述第二采集裝置之間。

其中，所述相機(jī)為CMOS相機(jī)。

其中，所述紫外鏡頭可透過的光波長(zhǎng)為200-300nm。

其中，所述至少一照明光源為發(fā)射光波長(zhǎng)為200-320nm的氘燈，或，所述至少一照明光源為發(fā)射光波長(zhǎng)小于300nm的紫外LED陣列。

其中，所述用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)還包括計(jì)算裝置，所述計(jì)算裝置分別與所述第一采集裝置及所述第二采集裝置連接，所述計(jì)算裝置用于根據(jù)所述第一采集裝置及所述第二采集裝置采集的圖像分析所述高溫測(cè)試物體的三維位移場(chǎng)、應(yīng)變場(chǎng)和/或燒蝕特性。

本申請(qǐng)還提供一種高溫測(cè)試系統(tǒng)，包括測(cè)試室及如上所述的用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)，所述測(cè)試室用于對(duì)高溫測(cè)試物體進(jìn)行加熱，所述用于高溫測(cè)試的光學(xué)系統(tǒng)位于所述測(cè)試室外部的一側(cè)。